[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

摘要

一种半导体器件及其制造方法，所述方法在形成栅堆叠后，在PMOS栅堆叠的侧壁形成第二侧墙缓冲层，所述第二侧墙缓冲层由疏松的低k介质材料形成；而后形成器件的侧墙及源漏/halo区和源、漏极区；而后在氧环境中高温退火，以使氧气环境中的氧气通过所述第二侧墙缓冲层扩散到所述第二栅堆叠的高k栅介质层中。通过本发明不仅降低PMOS的阈值电压，且不影响NMOS器件的阈值电压，而且还可以避免传统工艺去除PMOS侧墙时对栅极及衬底的损伤，从而有效提高器件的整体性能。

主权项

一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：提供具有NMOS区域和PMOS区域的半导体衬底，其中所述NMOS区域与所述PMOS区域相互隔离；在所述NMOS区域的半导体衬底上形成第一栅堆叠，在所述PMOS区域的半导体衬底上形成第二栅堆叠，其中所述第一栅堆叠的形成包括形成第一高k栅介质层和其上的第一金属栅电极，所述第二栅堆叠的形成包括形成第二高k栅介质层和其上的第二金属栅电极；在所述第二栅堆叠的侧壁形成第二侧墙缓冲层，其中所述第二侧墙缓冲层采用低k介质材料形成；在所述第一栅堆叠的侧壁形成第一侧墙，并且在所述第二侧墙缓冲层的侧壁形成第二侧墙；在所述半导体衬底中分别形成属于NMOS区域和PMOS区域的源/漏延伸区和/或halo区以及源极区和漏极区；对所述器件在氧气环境进行退火，以使氧气环境中的氧气通过所述第二侧墙缓冲层扩散到所述第二栅堆叠的第二高k栅介质层中。