[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，通过具有相对于衬底上表面凹进的侧壁的源极区、漏极区的N-FET晶体管，并且直接在该源极区、漏极区上方的接触孔中形成具有拉应力性质的材料，从而在保证N-FET晶体管沟道改善性能的同时对沟道区施加拉应力。而后去除N-FET晶体管的栅堆叠中的伪栅极层，以使栅堆叠对沟道区的反作用力进一步减小，从而提高沟道区域的拉应力，提高载流子的迁移率，改善器件的性能。本发明能够显著改善具有较小沟道区尺寸的半导体器件的性能。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：在衬底上形成N型场效应晶体管，所述N‑FET晶体管包括具有栅极介质层、金属栅层和伪栅极层的栅堆叠、以及源极区和漏极区，其中所述源极区和所述漏极区在邻近所述栅堆叠的区域包括相对于所述衬底上表面凹进的侧壁；覆盖所述N‑FET晶体管的所述源极区、所述漏极区和所述栅堆叠形成接触刻蚀停止层；在所述接触刻蚀停止层中分别形成位于所述源极区和所述漏极区上方的第一对接触孔，所述第一对接触孔邻近所述栅堆叠设置；在所述第一对接触孔中形成具有拉应力性质的材料，以对所述栅堆叠对应的沟道区域施加拉应力；以及移除所述伪栅极层，以提高沟道区域的拉应力。