[发明专利]基于移动编码掩模原理制备多层浮雕结构复合膜层的方法无效
申请号: | 200910243534.6 | 申请日: | 2009-12-25 |
公开(公告)号: | CN101718952A | 公开(公告)日: | 2010-06-02 |
发明(设计)人: | 刘凯鹏;王长涛;罗先刚;冯沁;刘尧;刘玲;方亮;邢卉;潘丽 | 申请(专利权)人: | 中国科学院光电技术研究所 |
主分类号: | G03F7/00 | 分类号: | G03F7/00;G02B3/00 |
代理公司: | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人: | 成金玉;卢纪 |
地址: | 610209 *** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 一种基于移动编码掩模原理制备多层浮雕结构复合膜层的方法,其特征在于:由所制备膜层的厚度分布函数得到对应的掩模开孔函数,确定掩模开孔的形状和几何尺寸;沿掩模移动方向,在掩模上周期性地制备出此开孔;在膜料沉积过程中移动掩模,由掩模开孔的形状和几何尺寸控制此膜层各沉积区域的膜厚分布;重复以上步骤,通过更换掩模和膜料,可连续沉积多层不同材料和厚度分布的浮雕结构膜层。该方法结合了移动掩模技术和定向沉积技术,不需要经过曝光、刻蚀等复杂工艺步骤就可以在基底上直接沉积得到一层或多层预定厚度分布的浮雕结构膜层。 | ||
搜索关键词: | 基于 移动 编码 原理 制备 多层 浮雕 结构 复合 方法 | ||
【主权项】:
基于移动编码掩模原理制备多层浮雕结构复合膜层的方法,其特征在于包括以下步骤:(1)根据所制作的微/纳元件的各层膜层的界面函数,得到各层膜层的厚度分布函数,即各层膜层的各个区域的厚度;所述的微/纳元件的各层膜层为具有连续浮雕结构、或多台阶浮雕结构、或均匀厚度的膜层;(2)根据具体的各膜层的厚度分布函数,确定该膜层所用的掩模开孔的形状和几何尺寸,沿掩模移动的方向周期性地制备此形状和几何尺寸的掩模开孔;所述的掩模开孔为能通过沉积粒子的通孔;所述膜层在平行于掩模移动方向的直线上的各点的膜层厚度相同;(3)将掩模与基片平行放置,使掩模可相对基片匀速平移;(4)通过掩模开孔以稳定的速率向基片定向沉积膜料,并在沉积过程中匀速平移掩模,且掩模匀速平移的距离为掩模开孔周期的整数倍;通过掩模开孔的形状和几何尺寸调制基片上各个区域沉积的膜厚,获得预定厚度分布的单层浮雕结构膜层;(5)重复步骤(1)-(4),在基片上连续沉积若干层预定膜料种类和厚度分布的单层浮雕结构膜层,就可以获得多层浮雕结构复合膜层。
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