[发明专利]一种能提升绝缘电压VISO又能降低结壳热阻Rthjc的模块结构件无效
| 申请号： | 200910242970.1 | 申请日： | 2009-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN102104010A | 公开（公告）日： | 2011-06-22 |
| 发明（设计）人： | 陈志恭 | 申请（专利权）人： | 陈志恭;高占成 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/48;H01L23/14;H01L25/00 |
| 代理公司： | 北京市合德专利事务所 11244 | 代理人： | 王文会 |
| 地址： | 104218 北京市昌*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种能提升绝缘电压VISO又能降低结壳热阻Rthic的电力半导体模块结构件的制造方法，该电力半导体模块在现有的压接式模块结构件的基础上，加上一层绝缘膜和一金属片，再把原来较厚的陶瓷片减薄后构成。该方法包括：在压接式模块结构件的底板正面喷涂、粘贴或平铺一层绝缘膜；在绝缘膜之上再附加一层金属片；在金属片之上再附加一层减薄的陶瓷片。本发明的模块结构件能够在提升绝缘电压VISO的同时，降低结壳热阻Rthjc。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提升 绝缘 电压 sub iso 降低 结壳热阻 thjc 模块 结构件 | ||
【主权项】：
一种能提升绝缘电压VISO又能降低结壳热阻Rthjc的电力半导体模块结构件的制造方法，该电力半导体模块在现有压接式模块结构件的基础上，加上一层绝缘膜和一金属片，再把原来较厚的陶瓷片减薄后构成，其特征在于：在压接式模块结构件的底板正面喷涂、粘贴或平铺一层绝缘膜；在绝缘膜之上再附加一层金属片；在金属片之上再附加一层减薄的陶瓷片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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