[发明专利]一种能提升绝缘电压VISO又能降低结壳热阻Rthjc的模块结构件

权利要求书

1.一种能提升绝缘电压V_ISO又能降低结壳热阻R_thjc的电力半导体模块结构件的制造方法，该电力半导体模块在现有压接式模块结构件的基础上，加上一层绝缘膜和一金属片，再把原来较厚的陶瓷片减薄后构成，其特征在于：

在压接式模块结构件的底板正面喷涂、粘贴或平铺一层绝缘膜；

在绝缘膜之上再附加一层金属片；

在金属片之上再附加一层减薄的陶瓷片。

2.一种能提升绝缘电压V_ISO又能降低结壳热阻R_thjc的电力半导体模块结构件，包括底板，底板之上叠压的陶瓷片，陶瓷片之上叠压的电极，所述电极用塑壳中的定位环来定位，所述电极之上还叠压有芯片，其特征在于：

在所述底板与所述陶瓷片之间还叠压有一层绝缘膜；

所述绝缘膜上具有定位孔；

所述绝缘膜的定位孔上放置有金属片，所述金属片位于所述陶瓷片与底板之间，金属片的形状与尺寸与定位孔相适应。

3.根据权利要求2所述的电力半导体模块，其中所述金属片为导热性好、延展性佳的金属。

4.根据权利要求3所述的电力半导体模块，其中所述金属片为银或铜，或者为纯铝。

5.根据权利要求2所述的电力半导体模块，其中所述绝缘膜采用能耐180℃以上高温的材料。

6.根据权利要求2所述的电力半导体模块，其中所述绝缘膜采用聚四氟乙烯或硅橡胶膜。

7.根据权利要求2所述的电力半导体模块，其中所述绝缘膜采用在底板上喷涂、平铺或粘贴绝缘材料来实现。

8.根据权利要求2所述的电力半导体模块，其中所述陶瓷片为BeO，ALN，DCB和/或AL₂O₃陶瓷绝缘片。

9.根据权利要求2所述的电力半导体模块，其中所述绝缘膜定位孔直径D2，金属片直径D1和陶瓷片直径D之间的尺寸关系为D＞D2＞D1，并且所述金属膜的厚度比绝缘膜的厚度大0.1mm以上。

10.根据权利要求2所述的电力半导体模块，其中所述绝缘膜的尺寸与底板上接触的塑壳底面尺寸大小相同，并且所述绝缘膜中除了定位孔以外，还具有一些与塑壳底面中其它部件相应位置的孔。