[发明专利]一种硅片抛光方法有效
| 申请号： | 200910242232.7 | 申请日： | 2009-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN101733697A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 库黎明;闫志瑞;索思卓;葛钟;陈海滨;盛方毓 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B29/00 | 分类号： | B24B29/00 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 郭佩兰 |
| 地址： | 100088*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种硅片抛光方法，其特征在于：它包括以下步骤：(1)将硅片放入贴在陶瓷板上的夹持垫内；(2)将硅片抛光；(3)在硅片背面和硅片夹持垫之间持续通入压缩空气，气压为：0.1～50kpa，持续吹入气压的抛光时间为0.1～600秒；(4)恢复步骤(2)进行抛光，抛光时间为0.1～600秒。通过该工艺方法制造硅片，可以获得高平整度的硅片。本发明的优点在于提出一种简易提高硅片产品表面几何参数的硅片制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 抛光 方法 | ||
【主权项】：
一种硅片抛光方法，其特征在于：它包括以下步骤：(1)、将硅片放入贴在陶瓷板上的夹持垫内；(2)、将硅片抛光；(3)、在硅片背面和硅片夹持垫之间持续通入压缩空气，气压为：0.1～50kpa，持续吹入气压的抛光时间为0.1～600秒；(4)、恢复步骤(2)进行抛光，抛光时间为0.1～600秒。
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