[发明专利]一种硅片抛光方法有效
| 申请号： | 200910242232.7 | 申请日： | 2009-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN101733697A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 库黎明;闫志瑞;索思卓;葛钟;陈海滨;盛方毓 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B29/00 | 分类号： | B24B29/00 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 郭佩兰 |
| 地址： | 100088*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 抛光 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅片抛光方法，其特征在于：它包括以下步骤：
(1)、将硅片放入贴在陶瓷板上的夹持垫内；
(2)、将硅片抛光；
(3)、在硅片背面和硅片夹持垫之间持续通入压缩空气，气压为：0.1～50kpa，持续吹入气压的抛光时间为0.1～600秒；
(4)、恢复步骤(2)进行抛光，抛光时间为0.1～600秒。
2.根据权利要求1所述的一种硅片抛光方法，其特征在于：
所述的硅片抛光是：硅片随着贴有抛光垫的旋转大盘旋转、抛光。
3.根据权利要求1或2所述的一种硅片抛光方法，其特征在于：压缩空气通过夹持垫中间均匀分布的小孔到达硅片背面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司，未经北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910242232.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种太阳能聚光反射镜构件
- 下一篇：一种二级储水的热水器恒温装置
