[发明专利]光刻胶的去除方法有效
| 申请号： | 200910241611.4 | 申请日： | 2009-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN102082089A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 杨峰;谭宗良 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100015 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种光刻胶的去除方法，涉及集成电路元件制造领域，为解决现有技术去除光刻胶的操作周期较长，去除光刻胶的过程容易对晶片本身造成损伤的问题而发明。所述光刻胶的去除方法，包括：将等离子体刻蚀后的晶片，采用灰化工艺去除所述晶片上的残留光刻胶；用氢氟酸溶液对所述晶片进行清洗；用超纯水或去离子水对所述晶片进行冲洗；用异丙醇溶液对所述晶片进行浸泡处理。本发明适用于去除半导体晶片制造过程中产生的光刻胶。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 去除 方法 | ||
【主权项】：
一种光刻胶的去除方法，其特征在于，包括以下步骤：将等离子体刻蚀后的晶片，采用灰化工艺去除所述晶片上的残留光刻胶；用弱酸溶液对所述晶片进行清洗；用超纯水或去离子水对所述晶片进行冲洗；用有机(其他有机溶剂是否可以 可以使用丙酮代替异丙醇)溶液对所述晶片进行浸泡处理。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，未经北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910241611.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种豆浆机
- 下一篇：嵌入式平台用户界面加速显示的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
