[发明专利]光刻胶的去除方法有效
| 申请号： | 200910241611.4 | 申请日： | 2009-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN102082089A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 杨峰;谭宗良 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100015 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光刻 去除 方法 | ||
1.一种光刻胶的去除方法，其特征在于，包括以下步骤：
将等离子体刻蚀后的晶片，采用灰化工艺去除所述晶片上的残留光刻胶；
用弱酸溶液对所述晶片进行清洗；
用超纯水或去离子水对所述晶片进行冲洗；
用有机(其他有机溶剂是否可以？可以使用丙酮代替异丙醇)溶液对所述晶片进行浸泡处理。
2.根据权利要求1所述的光刻胶的去除方法，其特征在于，所述弱酸溶液为氢氟酸溶液。
3.根据权利要求1所述的光刻胶的去除方法，其特征在于，所述有机溶液为丙酮或者异丙醇中的一种或者两者的混合溶液。
4.根据权利要求1所述的光刻胶的去除方法，其特征在于，在所述灰化工艺的过程中，根据预定物质的谱线强度，控制所述灰化工艺对所述残留光刻胶的去除。
5.根据权利要求4所述的光刻胶的去除方法，其特征在于，所述根据预定物质的谱线强度，控制所述灰化工艺对所述残留光刻胶的去除具体为：
采用原子发射光谱法，对灰化工艺过程中的预定物质进行检测，获得所述预定物质的谱线，并通过监测所述预定物质的谱线强度，控制所述灰化工艺对所述残留光刻胶的去除。
6.根据权利要求5所述的光刻胶的去除方法，其特征在于，所述采用原子发射光谱法，对灰化工艺过程中的预定物质进行检测具体为：
采用原子发射光谱法，对灰化工艺过程中的氧等离子体、氢等离子体或碳等离子体进行检测。
7.根据权利要求6所述的光刻胶的去除方法，其特征在于，所述对灰化工艺过程中的氧等离子体进行检测具体为：
对灰化工艺过程中等离子体中波长为615nm和/或777.2nm的谱线进行检测。
8.根据权利要求2所述的光刻胶的去除方法，其特征在于，所述氢氟酸溶液对所述晶片进行清洗具体为：
用浓度1-10％的氢氟酸溶液将所述晶片清洗5秒-60秒时间。
9.根据权利要求1所述的光刻胶的去除方法，其特征在于，在用超纯水或去离子水对所述晶片进行冲洗之后、用有机溶液对所述晶片进行浸泡处理之前还包括：
用氮气对所述晶片进行吹扫。
10.根据权利要求1所述的光刻胶的去除方法，其特征在于，在所述用有机溶液对所述晶片进行浸泡处理之后还包括：
用超纯水或去离子水对所述晶片进行冲洗；
用氮气对所述晶片进行吹扫。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
