[发明专利]测试半导体器件可靠性的方法无效
| 申请号： | 200910241544.6 | 申请日： | 2009-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN102073004A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 刘晓彦;杨佳琦;康晋锋;杨竞峰;韩汝琦;陈冰 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种用于测试半导体器件可靠性的方法，其中所述半导体器件具有负偏置温度不稳定性NBTI，包括以下步骤：测量第一组半导体器件的NBTI曲线；在将第一组半导体器件偏置于栅电场的条件下，测量第一组半导体器件在预定频率下的1/f噪声功率谱密度和漏电流；测量第一组半导体器件的栅介质的等效氧化层厚度；在将第二组半导体器件偏置于所述栅电场的条件下，测量第二组半导体器件在所述预定频率下的1/f噪声功率谱密度和漏电流；测量第二组半导体器件的栅介质的等效氧化层厚度；以及利用第一组半导体器件的NBTI曲线来评估第二组半导体器件的退化特性。该方法节省了对大量半导体器件进行可靠性测试所需的时间，并且不会对第二组半导体器件造成破坏。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 半导体器件 可靠性 方法 | ||
【主权项】：
一种用于测试半导体器件可靠性的方法，其中所述半导体器件具有负偏置温度不稳定性NBTI，包括以下步骤：测量第一组半导体器件的NBTI曲线；在将第一组半导体器件偏置于栅电场的条件下，测量第一组半导体器件在预定频率下的1/f噪声功率谱密度和漏电流；在将第二组半导体器件偏置于所述栅电场的条件下，测量第二组半导体器件在所述预定频率下的1/f噪声功率谱密度和漏电流；利用第一组半导体器件的NBTI曲线来评估第二组半导体器件的退化特性。
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