[发明专利]光栅耦合表面发射的超辐射发光二极管结构无效
| 申请号： | 200910236703.3 | 申请日： | 2009-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN102054909A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 安琪;金鹏;王占国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光栅耦合表面发射的超辐射发光二极管结构，该结构的中心区域为有源区，有源区周边为环绕光栅，环绕光栅为无源区。在该结构的有源区注以电流，使有源区产生超辐射光，作为无源区的环绕光栅将传播至环绕光栅下方的超辐射光耦合至该结构表面并输出。本发明提供的是一种全新的光栅耦合表面发射的超辐射发光二极管结构，具有发散角小和光斑形状规则、大出光面积以及易于片上测试和集成等诸多优点，可大大提高光纤耦合效率和输出功率。 | ||
| 搜索关键词： | 光栅 耦合 表面 发射 辐射 发光二极管 结构 | ||
【主权项】：
一种光栅耦合表面发射的超辐射发光二极管结构，其特征在于，该结构的中心区域为有源区，有源区周边为环绕光栅，环绕光栅为无源区。
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