[发明专利]光栅耦合表面发射的超辐射发光二极管结构无效
| 申请号： | 200910236703.3 | 申请日： | 2009-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN102054909A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 安琪;金鹏;王占国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光栅 耦合 表面 发射 辐射 发光二极管 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种光栅耦合表面发射的超辐射发光二极管结构，其特征在于，该结构的中心区域为有源区，有源区周边为环绕光栅，环绕光栅为无源区。
2.如权利要求1所述的光栅耦合表面发射的超辐射发光二极管结构，其特征在于，在该结构的有源区注以电流，使有源区产生超辐射光，作为无源区的环绕光栅将传播至环绕光栅下方的超辐射光耦合至该结构表面并输出。
3.如权利要求2所述的光栅耦合表面发射的超辐射发光二极管结构，其特征在于，所述被所述环绕光栅耦合至该结构表面并输出的超辐射光，其出光方向为近垂直该结构的表面。
4.如权利要求1所述的光栅耦合表面发射的超辐射发光二极管结构，其特征在于，所述环绕光栅的横截面形状是矩形、锯齿形或正弦形。
5.如权利要求1所述的光栅耦合表面发射的超辐射发光二极管结构，其特征在于，所述环绕光栅是圆环形、正多边环形或椭圆环形。
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