[发明专利]固态成像装置、固态成像装置的制造方法和成像设备在审
| 申请号： | 200910226486.X | 申请日： | 2009-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN101740597A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 山口哲司 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H04N5/335;H04N5/225 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及固态成像装置、固态成像装置的制造方法和成像设备。该固态成像装置在半导体基板上包括具有多个像素的像素部分，所述像素部分设置有：光电转换部分，对入射光进行光电转换以获得信号电荷；和像素晶体管部分，将从光电转换部分读取的信号电荷转换成电压，其中布置在像素部分中的元件隔离区域包括埋入布置在半导体基板中的沟槽中的绝缘膜，并且该绝缘膜包括具有负电荷的绝缘膜。 | ||
| 搜索关键词： | 固态 成像 装置 制造 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种固态成像装置，其在半导体基板上包括具有多个像素的像素部分，所述像素部分设置有：光电转换部分，对入射光进行光电转换以获得信号电荷；和像素晶体管部分，将从光电转换部分读取的信号电荷转换成电压，其中，布置在所述像素部分中的元件隔离区域包括埋入布置在所述半导体基板中的沟槽中的绝缘膜，并且所述绝缘膜包括具有负电荷的绝缘膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
