[发明专利]固态成像装置、固态成像装置的制造方法和成像设备

权利要求书

1.一种固态成像装置，其在半导体基板上包括具有多个像素的像素部分，所述像素部分设置有：

光电转换部分，对入射光进行光电转换以获得信号电荷；和

像素晶体管部分，将从光电转换部分读取的信号电荷转换成电压，

其中，布置在所述像素部分中的元件隔离区域包括埋入布置在所述半导体基板中的沟槽中的绝缘膜，并且

所述绝缘膜包括具有负电荷的绝缘膜。

2.根据权利要求1的固态成像装置，

其中，所述元件隔离区域至少将所述像素彼此隔离。

3.根据权利要求1的固态成像装置，

其中，所述具有负电荷的绝缘膜是包含从包括以下元素的组中选择的至少一种元素的绝缘膜：铪、锆、铝、钽、钛、钇和镧系元素。

4.根据权利要求1的固态成像装置，

其中，P型杂质区域布置在所述元件隔离区域下方的半导体基板中。

5.根据权利要求4的固态成像装置，

其中，所述P型杂质区域的电势是固定的。

6.一种固态成像装置的制造方法，该方法按顺序包括如下步骤：

在半导体基板的像素区域中形成用于进行元件隔离的第一沟槽，并且在周边电路区域中形成用于进行元件隔离的第二沟槽；

在第一沟槽和第二沟槽的内表面上形成具有负电荷的绝缘膜，其中氧化硅膜位于第一沟槽和第二沟槽的内表面与具有负电荷的绝缘膜之间；

去除布置在周边电路区域中并具有负电荷的绝缘膜；

使得第二沟槽深于第一沟槽；以及

将埋入式绝缘膜埋入第一沟槽和第二沟槽中，以在第一沟槽中形成第一元件隔离区域并且在第二沟槽中形成第二元件隔离区域。

7.根据权利要求6的固态成像装置的制造方法，

其中，在去除具有负电荷的绝缘膜之后并且在将埋入式绝缘膜埋入第一沟槽和第二沟槽中之前，在第一沟槽底部的半导体基板中形成P型杂质区域。

8.一种固态成像装置的制造方法，该方法按顺序包括如下步骤：

在半导体基板的像素区域中形成用于进行元件隔离的第一沟槽，并且在周边电路区域中形成用于进行元件隔离的第二沟槽；

在对第一沟槽加掩模的同时使得第二沟槽深于第一沟槽；

在第一沟槽和第二沟槽的内表面上形成具有负电荷的绝缘膜，其中氧化硅膜位于第一沟槽和第二沟槽的内表面与具有负电荷的绝缘膜之间；

去除布置在周边电路区域中并具有负电荷的绝缘膜；以及

将埋入式绝缘膜埋入第一沟槽和第二沟槽中，以在第一沟槽中形成第一元件隔离区域并且在第二沟槽中形成第二元件隔离区域。

9.根据权利要求8的固态成像装置的制造方法，

其中，在去除具有负电荷的绝缘膜之后并在将埋入式绝缘膜埋入第一沟槽和第二沟槽中之前，在第一沟槽底部的半导体基板中形成P型杂质区域。

10.一种固态成像装置的制造方法，该方法按顺序包括如下步骤：

在包括半导体基板的基板的周边电路区域中形成用于进行元件隔离的第一沟槽；

将第一埋入式绝缘膜埋入到第一沟槽中以形成第一元件隔离区域；

在基板上形成覆盖第一元件隔离区域的绝缘膜；

在设置有所述绝缘膜的半导体基板的像素区域中形成用于进行元件隔离的第二沟槽；

在第二沟槽的内表面上形成具有负电荷的绝缘膜，其中氧化硅膜位于第二沟槽的内表面与具有负电荷的绝缘膜之间；以及

将第二埋入式绝缘膜埋入第二沟槽中以形成第二元件隔离区域。

11.根据权利要求10的固态成像装置的制造方法，

其中，在形成第二沟槽之后并且在将第二埋入式绝缘膜埋入第二沟槽中之前，在第二沟槽底部的半导体基板中形成P型杂质区域。