[发明专利]在栅极最后工艺中用于去除伪多晶硅的新方法有效
| 申请号： | 200910226221.X | 申请日： | 2009-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN101740518A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 叶明熙;徐帆毅;林舜武;古淑瑗;欧阳晖 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 梁永 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法。该方法包括通过一个循环从位于衬底上的栅极结构去除硅材料，该循环包括：蚀刻硅材料以去除其一部分，其中，衬底以旋转速率旋转，将清洁剂施加至衬底，并干燥衬底；以及重复该循环，其中，随后循环包括用于使衬底在蚀刻期间旋转的随后旋转速率，并且随后旋转速率不超出先前循环的旋转速率。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 最后 工艺 用于 去除 多晶 新方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括：通过一个循环从位于衬底上的栅极结构中去除硅材料，包括：蚀刻所述硅材料以去除其一部分，其中所述衬底以旋转速率旋转；将清洁剂施加至所述衬底；以及干燥所述衬底；以及重复所述循环，其中，随后循环包括用于使所述衬底在所述蚀刻期间旋转的随后旋转速率，且所述随后旋转速率不超过先前循环的旋转速率。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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