[发明专利]在栅极最后工艺中用于去除伪多晶硅的新方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

通过一个循环从位于衬底上的栅极结构中去除硅材料，包括：

蚀刻所述硅材料以去除其一部分，其中所述衬底以旋转速率旋转；

将清洁剂施加至所述衬底；以及

干燥所述衬底；以及

重复所述循环，其中，随后循环包括用于使所述衬底在所述蚀刻期间 旋转的随后旋转速率，且所述随后旋转速率不超过先前循环的旋转速率， 其中，对于随后循环以较低旋转速率来旋转衬底。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述蚀刻所述硅材料包括使用 第一蚀刻剂的第一蚀刻工艺和使用第二蚀刻剂的第二蚀刻工艺。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一蚀刻剂包括氟化合物。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一蚀刻剂包括具有1∶500 比例的稀释氢氟酸(DHF)，并且以23℃的温度执行所述第一蚀刻工艺 且执行10秒的周期。

5.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第二蚀刻剂包括胺衍生物， 所述胺衍生物包括NH₄OH、NH₃(CH₃)OH、NH₂(CH₃)₂OH、NH(CH₃)₃OH、 N(CH₃)₄OH及其组合中的一个。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第二蚀刻剂包括具有1∶100 比例的NH₄OH，以及以50℃的温度执行所述第二蚀刻工艺并且执行20 秒的周期。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述将清洁剂施加至所述衬底 包括以下步骤之一：

将多个受压去离子水(DIW)滴喷射至所述衬底；

将包括CO₂和DIW的混合物施加至所述衬底；以及

它们的组合。

8.一种制造半导体器件的方法，包括：

通过一个循环去除位于衬底上的伪栅结构的多晶硅材料，包括：

使用第一蚀刻剂执行第一蚀刻工艺，其中所述衬底以第一旋转速 率旋转；

将清洁剂施加至所述衬底；

使用第二蚀刻剂执行第二蚀刻工艺，其中所述衬底以第二旋转速 率旋转；以及

干燥所述衬底；以及

重复所述循环，其中，随后循环包括降低或维持所述先前循环的所述 第一旋转速率，且降低或维持所述先前周期的所述第二旋转速率，其中， 对于随后循环以较低旋转速率来旋转衬底。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一蚀刻剂包括氟化合物， 并且所述第二蚀刻剂包括胺衍生物。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述将清洁剂施加至所述衬 底包括以下步骤之一：

将多个受压去离子水(DIW)滴喷射至所述衬底；

将包括CO₂和DIW的混合物施加至所述衬底；以及

它们的组合。

11.根据权利要求8所述的方法，其中，用于所述第一蚀刻工艺的蚀 刻工艺时间比用于所述第二蚀刻工艺的蚀刻工艺时间少。

12.一种制造半导体器件的方法，包括：

通过一个循环去除位于衬底上的伪栅结构的多晶硅材料，包括：

使用第一蚀刻剂执行第一蚀刻工艺，其中所述衬底以旋转速率旋 转；

将多个受压去离子水(DIW)滴喷射至所述衬底；

将包括CO₂和DIW的混合物施加至所述衬底；

干燥所述衬底；以及

使用第二蚀刻剂执行第二蚀刻工艺；以及

重复所述循环直至基本上去除全部所述多晶硅材料，其中，随后循环 包括用于使所述衬底在所述蚀刻期间旋转的随后旋转速率，其中，对于随 后循环以较低旋转速率来旋转衬底。