[发明专利]热处理装置、半导体装置的制造方法及衬底的制造方法有效
| 申请号： | 200910225029.9 | 申请日： | 2003-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN101714504A | 公开（公告）日： | 2010-05-26 |
| 发明（设计）人： | 中村直人;中村严;岛田智晴;石黑谦一;中嶋定夫 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/762;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 岳雪兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种热处理装置、半导体装置的制造方法及衬底的制造方法，其可减少热处理中产生的衬底的滑动错位缺陷，制造高质量的半导体装置。衬底支承体(30)由本体部(56)和支承部(58)构成。本体部(56)将多个载置部(66)平行延伸，且在该载置部(66)上设有支承部(58)。在该支承部(58)上载置衬底(68)。支承部(58)的面积比衬底平坦面的面积小，由比所述衬底的厚度厚的硅制造的板构成，可减小热处理中的变形。另外，支承部(58)由硅制造，在支承部(58)的衬底载置面上形成有涂敷了碳化硅(SiC)的涂层。 | ||
| 搜索关键词： | 热处理 装置 半导体 制造 方法 衬底 | ||
【主权项】：
一种热处理装置，具有对衬底进行热处理的反应炉和在所述反应炉内支承衬底的衬底支承体，其特征在于，所述衬底支承体具有与所述衬底接触的支承部、支承该支承部的板、和支承该板的本体部，所述支承部由厚度为所述衬底厚度的两倍以上10mm以下、且直径比所述衬底的直径和所述板的直径小的硅制造的板状部件构成，至少在所述支承部的载置所述衬底的衬底载置面上，设有由碳化硅、氮化硅、多晶硅、氧化硅、玻璃状碳、微晶金刚石中的任一种或多种材料构成的膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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