[发明专利]热处理装置、半导体装置的制造方法及衬底的制造方法

权利要求书

1.一种热处理装置，具有对衬底进行热处理的反应炉和在所述反应炉 内支承衬底的衬底支承体，其特征在于，

所述衬底支承体具有与所述衬底接触的支承部、支承该支承部的板、和 支承该板的本体部，所述支承部由厚度为所述衬底厚度的两倍以上10mm以 下、且直径比所述衬底的直径和所述板的直径小的硅制造的板状部件构成， 至少在所述支承部的载置所述衬底的衬底载置面上，设有由碳化硅、氮化硅、 多晶硅、氧化硅、玻璃状碳、微晶金刚石中的任一种或多种材料构成的膜。

2.如权利要求1所述的热处理装置，其特征在于，所述支承部的厚度 为3mm～10mm。

3.如权利要求1所述的热处理装置，其特征在于，所述板及所述本体 部为碳化硅制成。

4.如权利要求1所述的热处理装置，其特征在于，所述反应炉构成为 在所述反应炉内，在由衬底支承体支承所述衬底的状态下利用氧进行热处 理，至少在所述支承部的所述衬底载置面上设有氧化硅膜，该氧化硅膜通过 所述热处理形成。

5.一种热处理装置，具有对衬底进行热处理的反应炉和在所述反应炉 内支承衬底的衬底支承体，其特征在于，

所述衬底支承体具有与所述衬底接触的支承部和支承该支承部的本体 部，所述支承部由厚度为所述衬底厚度的两倍以上10mm以下、且直径比所 述衬底的直径小的硅制造的板状部件构成，至少在所述支承部的载置所述衬 底的衬底载置面上，设有由碳化硅、氮化硅、多晶硅、氧化硅、玻璃状碳、 微晶金刚石中的任一种或多种材料构成的膜。

6.一种衬底的制造方法，其特征在于，包括：

向处理室内送入衬底的工序；

在所述处理室内，由衬底支承体支承所述衬底的状态下进行热处理的工 序，所述衬底支承体具有支承部、支承该支承部且直径比所述支承部的直径 大的板、和支承该板的本体部，所述支承部由厚度为所述衬底厚度的两倍以 上10mm以下、且直径比所述衬底的直径小的硅制造的板状部件构成，至少 在所述支承部的载置所述衬底的衬底载置面上，设有由碳化硅、氮化硅、多 晶硅、氧化硅、玻璃状碳、微晶金刚石中的任一种或多种材料构成的膜；

将热处理后的所述衬底从所述处理室送出的工序。

7.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

向处理室内送入衬底的工序；

在所述处理室内，由衬底支承体支承所述衬底的状态下进行热处理的工 序，所述衬底支承体具有支承部、支承该支承部且直径比所述支承部的直径 大的板、和支承该板的本体部，所述支承部由厚度为所述衬底厚度的两倍以 上10mm以下、且直径比所述衬底的直径小的硅制造的板状部件构成，至少 在所述支承部的载置所述衬底的衬底载置面上，设有由碳化硅、氮化硅、多 晶硅、氧化硅、玻璃状碳、微晶金刚石中的任一种或多种材料构成的膜；

将热处理后的所述衬底从所述处理室送出的工序。

8.一种衬底的制造方法，其特征在于，包括：

向处理室内送入衬底的工序；

在所述处理室内，由衬底支承体支承所述衬底的状态下进行热处理的工 序，所述衬底支承体具有支承部和支承该支承部的本体部，所述支承部由厚 度为所述衬底厚度的两倍以上10mm以下、且直径比所述衬底的直径小的硅 制造的板状部件构成，至少在所述支承部的载置所述衬底的衬底载置面上， 设有由碳化硅、氮化硅、多晶硅、氧化硅、玻璃状碳、微晶金刚石中的任一 种或多种材料构成的膜；

将热处理后的所述衬底从所述处理室送出的工序。