[发明专利]具有多个发光单元的发光二极管及其制造方法有效
申请号: | 200910224858.5 | 申请日: | 2009-11-27 |
公开(公告)号: | CN101752399A | 公开(公告)日: | 2010-06-23 |
发明(设计)人: | 葛大成;金大原;徐源哲;芮暻熙;李柱雄 | 申请(专利权)人: | 首尔半导体株式会社 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L21/782;H01L33/44 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 郭鸿禧;薛义丹 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明公开了一种发光二极管。所述发光二极管包括:彼此分开的多个发光单元;第一介电层,覆盖发光单元;导线,形成在第一介电层上,并将相邻的发光单元彼此电连接;第二介电层,覆盖第一介电层和导线。第一介电层和第二介电层由相同材料形成,并且第一介电层比第二介电层厚。通过该构造,改善了第一介电层和第二介电层之间的结合特性,从而防止湿气进入发光二极管。本发明还公开了该发光二极管的制造方法。 | ||
搜索关键词: | 具有 发光 单元 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种发光二极管,包括:多个发光单元,在单个基底上彼此分开,每个发光单元包括下半导体层、上半导体层和有源层,上半导体层位于下半导体层的一个区域上方,有源层设置在上半导体层和下半导体层之间;第一介电层,覆盖发光单元的整个表面,并且具有形成在下半导体层的其它区域上的开口和形成在上半导体层上的开口;导线,形成在第一介电层上,通过开口将相邻的发光单元彼此电连接;第二介电层,覆盖第一介电层和导线,其中,第一介电层和第二介电层由相同的材料形成,并且第一介电层比第二介电层厚。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的