[发明专利]具有多个发光单元的发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管，包括：

多个发光单元，在单个基底上彼此分开，每个发光单元包括下半导体层、 上半导体层和有源层，上半导体层位于下半导体层的一个区域上方，有源层 设置在上半导体层和下半导体层之间；

第一介电层，覆盖发光单元的整个表面，并且具有形成在下半导体层的 其它区域上的开口和形成在上半导体层上的开口；

导线，形成在第一介电层上，通过开口将相邻的发光单元彼此电连接；

第二介电层，覆盖第一介电层和导线，

其中，第一介电层和第二介电层由相同的材料形成，并且第一介电层比 第二介电层厚。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其中，第一介电层的厚度为～ 1μm，第二介电层的厚度大于

3.如权利要求2所述的发光二极管，其中，第一介电层和第二介电层是 通过等离子体增强化学气相沉积以200℃～300℃沉积的氧化硅层。

4.如权利要求3所述的发光二极管，其中，以第一介电层的沉积温度的 -20％～+20％的范围内的温度沉积第二介电层。

5.如权利要求2所述的发光二极管，其中，导线具有多层结构，所述多 层结构包括与第一介电层接触的下层和与第二介电层接触的上层，上层是Cr 层或Ti层，且下层是Cr层或Ti层。

6.如权利要求5所述的发光二极管，所述导线还包括设置在上层和下层 之间的Au、Au/Ni或Au/Al中间层。

7.如权利要求2所述的发光二极管，其中，第一介电层和第二介电层由 氮化硅形成。

8.如权利要求1所述的发光二极管，其中，第一介电层和第二介电层由 聚合物形成。

9.如权利要求8所述的发光二极管，其中，第二介电层至少在一部分区 域中包含荧光体。

10.如权利要求1所述的发光二极管，所述发光二极管还包括在第二介 电层上的荧光体层。

11.如权利要求1所述的发光二极管，所述发光二极管还包括在第一介 电层和上半导体层之间的透明电极层。

12.如权利要求11所述的发光二极管，其中，透明电极层由氧化铟锡形 成。

13.如权利要求11所述的发光二极管，其中，透明电极包含从由Au、 Ni、Pt、Al、Cr、Ti及它们的合金组成的组中选择的至少一种金属。

14.如权利要求11所述的发光二极管，其中，透明电极层具有开口，上 半导体层通过所述开口暴露，所述开口填充有导线。

15.一种制造发光二极管的方法，该方法包括以下步骤：

在单个基底上形成彼此分开的多个发光单元，每个发光单元包括下半导 体层、上半导体层和有源层，上半导体层位于下半导体层的一个区域上方， 有源层设置在上半导体层和下半导体层之间；

形成第一介电层，第一介电层覆盖发光单元的整个表面，并且具有形成 在下半导体层的其它区域上的开口和形成在上半导体层上的开口；

在第一介电层上形成导线，以通过开口将相邻的发光单元彼此电连接；

形成覆盖第一介电层和导线的第二介电层，

其中，第一介电层和第二介电层由相同的材料形成，并且第一介电层比 第二介电层厚。

16.如权利要求15所述的方法，其中，第一介电层的厚度为～1μm， 第二介电层的厚度大于

17.如权利要求16所述的方法，其中，第一介电层和第二介电层是通过 等离子体增强化学气相沉积以200℃～300℃沉积的氧化硅层。

18.如权利要求17所述的方法，其中，在第一介电层的沉积温度的-20％～ +20％的范围内的温度下沉积第二介电层。

19.如权利要求16所述的方法，其中，导线具有多层结构，所述多层结 构包括与第一介电层接触的下层和与第二介电层接触的上层，上层和下层是 Cr层或Ti层。