[发明专利]非对称金属-氧化物-半导体晶体管有效
| 申请号： | 200910224796.8 | 申请日： | 2009-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN101740627A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | A·拉特纳库玛尔;刘骏;董晓琪;相奇 | 申请（专利权）人： | 阿尔特拉公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/49;H01L29/423;H01L27/088;G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 酆迅;郑菊 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了混合栅极的金属氧化物半导体晶体管。该晶体管可以具有表现出增大的输出电阻的非对称配置。每个晶体管可以由形成在半导体上的栅极绝缘层形成。栅极绝缘层可以是高K的材料。在半导体中的源极区和漏极区可以限定晶体管栅极长度。栅极长度可以比半导体制造设计规则所指定的最小值大。晶体管栅极可以由具有不同功函数的第一栅极导体和第二栅极导体形成。在给定晶体管中的第一栅极导体和第二栅极导体的相对尺寸控制晶体管的阈值电压。还可以使用计算机辅助设计工具来从用户那里接收电路设计。该工具可以产生用于特定设计的制造掩模，该设计包括具有优化的阈值电压的混合栅极晶体管以符合电路设计标准。 | ||
| 搜索关键词： | 对称 金属 氧化物 半导体 晶体管 | ||
【主权项】：
一种晶体管，包括：半导体；在所述半导体上的高K栅极绝缘层；形成在所述栅极绝缘层上的第一栅极导体和第二栅极导体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于阿尔特拉公司，未经阿尔特拉公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910224796.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种污水处理中的液位检测系统
- 下一篇：一种汽车涉水水位监测报警器
- 同类专利
- 专利分类
