[发明专利]薄膜晶体管和显示装置有效
| 申请号： | 200910224527.1 | 申请日： | 2009-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN101740636A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 德永和彦 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/49;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李颖 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种通过抑制电气特性的劣化而提高可靠性的薄膜晶体管。所述薄膜晶体管包括：形成沟道的氧化物半导体膜；经由栅极绝缘膜放置在氧化物半导体膜的一侧上的栅电极；以及作为源电极和漏电极、与氧化物半导体膜相接触地形成的一对电极，所述一对电极是通过从氧化物半导体膜的一侧按顺序叠层至少第一和第二金属层而获得的。第一金属层由离子化能量等于或高于钼(Mo)的金属、具有阻氧性的金属、或具有阻氧性的金属的氮化物或硅氮化物制成。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：形成沟道的氧化物半导体膜；经由栅极绝缘膜放置在氧化物半导体膜的一侧上的栅电极；以及作为源电极和漏电极、与氧化物半导体膜相接触地形成的一对电极，所述一对电极是通过从氧化物半导体膜的一侧按顺序叠层至少第一和第二金属层而获得的，其中第一金属层由离子化能量等于或高于钼(Mo)的金属、具有阻氧性的金属、或具有阻氧性的金属的氮化物或硅氮化物制成。
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