[发明专利]薄膜晶体管和显示装置有效
| 申请号： | 200910224527.1 | 申请日： | 2009-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN101740636A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 德永和彦 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/49;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李颖 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 显示装置 | ||
1.一种薄膜晶体管，包括：
基片(11)；
在基片(11)上的选择区域中的栅电极(12)；
形成为覆盖基片(11)和栅电极(12)的栅极绝缘膜(13)；
设置在栅极绝缘膜(13)上的氧化物半导体膜(14)，在氧化物 半导体膜(14)中对应于栅电极(12)的区域中形成沟道(14A)；
在氧化物半导体膜(14)中形成的沟道(14A)上设置的沟道保 护膜(15)；
作为源电极和漏电极、与氧化物半导体膜相接触地形成的一对电 极，所述一对电极是通过叠层至少第一和第二金属层而获得的，所述 第一金属层与所述氧化物半导体膜相接触，所述源电极和漏电极覆盖 被沟道保护膜(15)暴露的氧化物半导体膜(14)；
其中第一金属层由离子化能量等于或高于钼(Mo)的金属制 成。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中第一金属层是由钼 制成的。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其中所述一对电极中的 每一个是通过在第二金属层上进一步叠层第三金属层而获得的。
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其中第二金属层由铝 (Al)制成，第三金属层由钛(Ti)制成。
5.一种包括显示元件和用于驱动该显示元件的薄膜晶体管的显 示装置，
其中所述薄膜晶体管包括：
基片(11)；
在基片(11)上的选择区域中的栅电极(12)；
形成为覆盖基片(11)和栅电极(12)的栅极绝缘膜(13)；
设置在栅极绝缘膜(13)上的氧化物半导体膜(14)，在氧化物 半导体膜(14)中对应于栅电极(12)的区域中形成沟道(14A)；
在氧化物半导体膜(14)中形成的沟道(14A)上设置的沟道保 护膜(15)；
作为源电极和漏电极、与氧化物半导体膜相接触地形成的一对电 极，所述一对电极是通过叠层至少第一和第二金属层而获得的，所述 第一金属层与所述氧化物半导体膜相接触，所述源电极和漏电极覆盖 被沟道保护膜(15)暴露的氧化物半导体膜(14)；并且
第一金属层由离子化能量等于或高于钼(Mo)的金属制成。
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