[发明专利]铜铟镓硒太阳能电池及其制作方法无效
| 申请号： | 200910223962.2 | 申请日： | 2009-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN102074597A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 庄泉龙 | 申请（专利权）人： | 正峰新能源股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京华夏博通专利事务所 11264 | 代理人： | 刘俊 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铜铟镓硒太阳能电池及其制作方法，该铜铟镓硒太阳能电池含有一合金金属薄膜层，该合金金属薄膜层位于钼薄膜层与铜铟镓硒薄膜层之间是由钼、铜、铝、银等导电性较高的材料经混合不同比例再利用连续式溅镀机进行加工制作而成，其功能在于提高钼薄膜层的导电率、降低阻抗系数以及降低其厚度以防止铟镓硒薄膜层脱落。 | ||
| 搜索关键词： | 铜铟镓硒 太阳能电池 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种铜铟镓硒太阳能电池，其特征在于，包括：一基板；一钼薄膜层，形成于该基板上方；一合金金属薄膜层，经由一溅镀机连续式溅镀于该钼薄膜层上而形成；以及一铜铟镓硒薄膜层，沉积于该合金金属层上方。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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