[发明专利]铜铟镓硒太阳能电池及其制作方法无效
| 申请号: | 200910223962.2 | 申请日: | 2009-11-20 |
| 公开(公告)号: | CN102074597A | 公开(公告)日: | 2011-05-25 |
| 发明(设计)人: | 庄泉龙 | 申请(专利权)人: | 正峰新能源股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京华夏博通专利事务所 11264 | 代理人: | 刘俊 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 铜铟镓硒 太阳能电池 及其 制作方法 | ||
1.一种铜铟镓硒太阳能电池,其特征在于,包括:
一基板;
一钼薄膜层,形成于该基板上方;
一合金金属薄膜层,经由一溅镀机连续式溅镀于该钼薄膜层上而形成;以及
一铜铟镓硒薄膜层,沉积于该合金金属层上方。
2.如权利要求1所述的铜铟镓硒太阳能电池,其特征在于,该基板为玻璃基板或可绕式金属基板。
3.如权利要求1所述的铜铟镓硒太阳能电池,其特征在于,该合金金属薄膜层为一钼铝合金金属层、一钼铜合金金属层、一钼铜铝合金金属层或一钼铜铝银合金金属层。
4.如权利要求3所述的铜铟镓硒太阳能电池,其特征在于,该钼铝合金金属层包括钼以及铝,而钼的合金比例为6~9以及铝的合金比率为1~2,该钼铝合金金属层厚度为01.~0.25um以及导电性为20~25×106/mΩ。
5.如权利要求3所述的铜铟镓硒太阳能电池,其特征在于,该钼铜合金金属层包括钼以及铜,而钼的合金比例为5~8以及铝的合金比例为1~4,该钼铝合金金属层厚度为01.~0.25um以及导电性为30~35×106/mΩ。
6.如权利要求3所述的铜铟镓硒太阳能电池,其特征在于,该钼铜铝合金金属层包括钼、铜以及铝,而钼的合金比例为5~7、铜的合金比例为3~5以及铝的合金比例为1~2,该钼铜铝合金金属层厚度为01.~0.25um以及导电性为35~40×106/mΩ。
7.如权利要求3所述的铜铟镓硒太阳能电池,其特征在于,该钼铜铝银合金金属层包括钼、铜、铝以及银,而钼的合金比例为5~7、铜的合金比例为3~4、铝的合金比例为1~1.5以及银的合金比例为2~2.5,该钼铜铝银合金金属层厚度为01.~0.25um以及导电性为30~35×106/mΩ。
8.一种铜铟镓硒太阳能电池的制作方法,其特征在于,包括:
将含有一钼薄膜层的一基板放在一组滚轮上,该钼薄膜层是以溅镀方式在基板上形成;
驱动该组滚轮朝一方向移动,藉以使该组滚轮上的基板朝该方向移动;
利用位于该钼薄膜层上方的一溅镀机,在该钼薄膜层上进行一溅镀操作,形成一合金金属薄膜层;以及
在该合金金属薄膜层上,藉一薄膜形成方式以形成一CIGS薄膜层。
9.如权利要求8所述的铜铟镓硒太阳能电池的制作方法,其特征在于,该溅镀机具有多组靶材室,每一组靶材室包括多个靶材室,而所述靶材室的每一靶材室包含一靶材、一溅镀枪以及具有一溅镀喷头,该溅镀操作为调整该溅镀枪的功率用以调节该靶材的喷出量,藉以控制合金金属薄膜层的合金混合比例。
10.如权利要求9所述的铜铟镓硒太阳能电池的制作方法,其特征在于,该靶材为钼、铜、铝或银。
11.如权利要求8所述的铜铟镓硒太阳能电池的制作方法,其特征在于,该合金金属薄膜层包括钼以及铝,而钼的合金比例为6~9以及铝的合金比例为1~2,该合金金属薄膜层的导电性为20~25×106/mΩ以及厚度为01.~0.25um。
12.如权利要求8所述的铜铟镓硒太阳能电池的制作方法,其特征在于,该合金金属薄膜层包括钼以及铜,而钼的合金比例为5~8以及铜的合金比例为1~4,该合金金属薄膜层的导电性为30~35×106/mΩ以及厚度为01.~0.25um。
13.如权利要求8所述的铜铟镓硒太阳能电池的制作方法,其特征在于,该合金金属薄膜层包括钼、铜以及铝,而钼的合金比例为5~7、铜的合金比例为3~5以及铝的合金比例为1~2,该合金金属薄膜层的导电性为30~35×106/mΩ以及厚度为01.~0.25um。
14.如权利要求8所述的铜铟镓硒太阳能电池的制作方法,其特征在于,该合金金属薄膜层包括钼、铜、铝以及银,而钼的合金比例为5~7、铜的合金比例为3~4、铝的合金比例为1~1.5以及银的合金比例为2~2.5,该合金金属薄膜层的导电性为35~40×106/mΩ以及厚度为01.~0.25um。
15.如权利要求8所述的铜铟镓硒太阳能电池的制作方法,其特征在于,该薄膜形成方式为同步蒸镀法与硒化法。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于正峰新能源股份有限公司,未经正峰新能源股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910223962.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





