[发明专利]半导体模块、半导体模块的制造方法和便携设备无效
| 申请号： | 200910221457.4 | 申请日： | 2009-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN101714531A | 公开（公告）日： | 2010-05-26 |
| 发明（设计）人： | 冈山芳央;中里真弓 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H01L23/482;H01L23/48;H01L21/50;H01L21/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 岳雪兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体模块，其包括元件装载用基板和在其上装载的半导体元件。元件装载用基板包括：绝缘树脂层、在绝缘树脂层的一个主表面S1上设置的布线层、与布线层电连接并从布线层向绝缘树脂层一侧突出的突起电极。半导体元件具有半导体基板和与各个突起电极相对的元件电极。由于在元件电极上设置的金属层的表面具有凹凸形状，所以与绝缘树脂层的粘结性提高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 模块 制造 方法 便携 设备 | ||
【主权项】：
一种半导体模块，其特征在于，包括：在半导体基板上形成的半导体元件，和经由绝缘层装载了所述半导体元件的元件装载用基板，所述半导体元件的元件电极由多个金属层构成，这些金属层中的距离所述半导体基板最远的金属层表面的凹凸的深度比所述多个金属层中的其他金属层表面的凹凸的深度深，所述绝缘层与元件电极的凹凸形状相接。
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