[发明专利]半导体模块、半导体模块的制造方法和便携设备无效
| 申请号： | 200910221457.4 | 申请日： | 2009-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN101714531A | 公开（公告）日： | 2010-05-26 |
| 发明（设计）人： | 冈山芳央;中里真弓 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H01L23/482;H01L23/48;H01L21/50;H01L21/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 岳雪兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 模块 制造 方法 便携 设备 | ||
1.一种半导体模块，其特征在于，包括：
在半导体基板上形成的半导体元件，和
经由绝缘层装载了所述半导体元件的元件装载用基板，
所述半导体元件的元件电极由多个金属层构成，这些金属层中的距离所述半导体基板最远的金属层表面的凹凸的深度比所述多个金属层中的其他金属层表面的凹凸的深度深，所述绝缘层与元件电极的凹凸形状相接。
2.如权利要求1所述的半导体模块，
其特征在于，所述元件装载用基板包括：绝缘层、在所述绝缘层的一个主表面设置的布线层、与所述布线层电连接并且从所述布线层向与所述绝缘层相反的一侧突出的突起电极，
所述突起电极与所述半导体元件的元件电极电连接，所述绝缘层与所述元件电极的凹凸形状相接。
3.如权利要求1所述的半导体模块，其特征在于，所述元件电极含Ni/Au层。
4.如权利要求2所述的半导体模块，其特征在于，所述元件电极含Ni/Au层。
5.如权利要求2所述的半导体模块，其特征在于，所述布线层和突起电极一体形成。
6.如权利要求3所述的半导体模块，其特征在于，所述布线层和突起电极一体形成。
7.如权利要求4所述的半导体模块，其特征在于，所述布线层和突起电极一体形成。
8.如权利要求2所述的半导体模块，其特征在于，在所述突起电极的顶部面设有Ni/Au层。
9.如权利要求3所述的半导体模块，其特征在于，在所述突起电极的顶部面设有Ni/Au层。
10.如权利要求4所述的半导体模块，其特征在于，在所述突起电极的顶部面设有Ni/Au层。
11.一种便携设备，其特征在于，装载了如权利要求1所述的半导体模块。
12.一种便携设备，其特征在于，装载了如权利要求2所述的半导体模块。
13.一种便携设备，其特征在于，装载了如权利要求3所述的半导体模块。
14.一种半导体模块的制造方法，其特征在于，包括：
准备半导体元件的工序，在该半导体元件中，在半导体基板上形成的元件电极由多个金属层构成，这些金属层中的距离所述半导体基板最远的金属层表面的凹凸的深度比所述多个金属层中的其他金属层表面的凹凸的深度深；
准备金属板的工序，在该金属板上突出设置了多个突起电极；
使所述突起电极朝向绝缘树脂层一侧将所述金属板设置在绝缘树脂层的一个主表面，并且使所述突起电极贯通所述绝缘树脂层从所述绝缘树脂层的另一个主表面露出的工序；
将设置了所述元件电极的所述半导体元件设置在所述绝缘树脂层的另一个主表面，使所述突起电极和与其对应的元件电极电连接的工序；和
选择性地除去所述金属板而形成布线层的工序。
15.一种半导体模块的制造方法，其特征在于，包括
准备半导体元件的工序，在该半导体元件中，在半导体基板上形成的元件电极由多个金属层构成，这些金属层中的距离所述半导体基板最远的金属层表面的凹凸的深度比所述多个金属层中其他金属层表面的凹凸的深度深；
准备元件装载用基板的工序，在元件装载用基板的一个主表面形成有电极；
使所述元件电极与所述电极电连接的工序；
在所述半导体元件与所述元件装载用基板之间形成绝缘树脂层的工序。
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