[发明专利]提高空穴传输能力的空穴传输材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种提高空穴传输能力的空穴传输材料及其制备方法，其中，空穴传输材料的分子结构式为：，其中，Ar为噻吩类衍生物，TP1和TP2分别为三苯胺、N，N，N′，N′-四苯基-1，4-苯二胺或N，N，N′，N′-四苯基-1，1′-联苯-4，4′-二胺的其中之一，如此，由于在该材料中增加了噻吩，因此，将该材料作为空穴传输材料应用于有机光电器件时，空穴传输层具有较强的空穴传输能力。

主权项

1.一种空穴传输材料，其特征在于：具有以下分子结构：其中，Ar为噻吩类衍生物，其结构为TP₁、TP₂分别为三苯胺、N，N，N′，N′-四苯基-1，4-苯二胺或N，N，N′，N′-四苯基-1，1′-联苯-4，4′-二胺的其中之一，其结构分别如下：三苯胺：N，N，N′，N′-四苯基-1，4-苯二胺：N，N，N′，N′-四苯基-1，1′-联苯-4，4′-二胺：