[发明专利]一种铝背发射极N型太阳电池及其制作方法

摘要

本发明公开了一种铝背发射极N型太阳电池，主要由N型半导体衬底、重掺杂N型半导体层、介质膜、铝电极、金属前电极和P型半导体层六部分组成，所述重掺杂N型半导体层只存在于金属前电极下方的局部区域，太阳电池前表面的其它区域由介质膜覆盖，金属前电极穿透介质膜并与太阳电池前表面的重掺杂N型半导体层接触。本发明还公开了上述铝背发射极N型太阳电池的制作方法。与传统结构铝背发射极N型太阳电池相比，本发明既保证了金属前电极与半导体衬底之间形成良好欧姆接触，又降低了前表面的平均掺杂浓度，有利于提高电池的短路电流和开路电压，从而获得更高的光电转换效率。

主权项

一种铝背发射极N型太阳电池，主要由N型半导体衬底(1)、重掺杂N型半导体层(2)、介质膜(3)、铝电极(4)、金属前电极(6)和P型半导体层(7)六部分组成，各部分的位置关系由上至下依次是金属前电极(6)、介质膜(3)、重掺杂N型半导体层(2)、N型半导体衬底(1)、P型半导体层(7)和铝电极(4)，其特征在于，所述重掺杂N型半导体层(2)即太阳电池前表面场只存在于金属前电极(6)下方的局部区域，太阳电池前表面的其它区域由介质膜(3)覆盖，金属前电极(6)穿透介质膜(3)并与太阳电池前表面的重掺杂N型半导体层(2)接触。