[发明专利]一种铝背发射极N型太阳电池及其制作方法

权利要求书

1.一种铝背发射极N型太阳电池，主要由N型半导体衬底(1)、重掺杂N型半导体层(2)、介质膜(3)、铝电极(4)、金属前电极(6)和P型半导体层(7)六部分组成，各部分的位置关系由上至下依次是金属前电极(6)、介质膜(3)、重掺杂N型半导体层(2)、N型半导体衬底(1)、P型半导体层(7)和铝电极(4)，其特征在于，所述重掺杂N型半导体层(2)即太阳电池前表面场只存在于金属前电极(6)下方的局部区域，太阳电池前表面的其它区域由介质膜(3)覆盖，金属前电极(6)穿透介质膜(3)并与太阳电池前表面的重掺杂N型半导体层(2)接触。

2.根据权利要求1所述的铝背发射极N型太阳电池，其特征在于，所述重掺杂N型半导体层(2)是重掺杂磷、砷或锑等施主杂质的N型半导体层。

3.根据权利要求1所述的铝背发射极N型太阳电池，其特征在于，所述介质膜(3)是单层介质膜或多层介质膜。

4.根据权利要求3所述的铝背发射极N型太阳电池，其特征在于，所述单层介质膜的成分是氮化硅、氧化硅、非晶硅、氧化铝、氧化钛、碳化硅或氟化镁。

5.根据权利要求3所述的铝背发射极N型太阳电池，其特征在于，所述多层介质膜是氮化硅、氧化硅、非晶硅、氧化铝、氧化钛、碳化硅或氟化镁单层介质膜的任意组合。

6.根据权利要求1所述的铝背发射极N型太阳电池，其特征在于，所述金属前电极(6)的主要成分是银、铜、镍、铝、锡或这些金属元素组成的合金。

7.权利要求1所述的铝背发射极N型太阳电池的制作方法，其特征在于，采用N型重掺杂硅浆料在电池前表面局部位置形成重掺杂N型半导体层，并在重掺杂N型半导体层上制作金属前电极。

8.根据权利要求7所述的铝背发射极N型太阳电池的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

(a)对N型半导体衬底进行表面织构化并进行化学清洗；

(b)在N型半导体衬底表面制备介质膜；

(c)在电池背表面制备铝电极；

(d)在电池前表面的局部区域印刷N型重掺杂浆料并烘干；

(e)在电池前表面印有N型重掺杂浆料的区域印刷金属电极浆料并烘干；

(f)高温烧结。

9.根据权利要求7所述的铝背发射极N型太阳电池的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

(a)对N型半导体衬底进行表面织构化并进行化学清洗；

(b)在N型半导体衬底表面制备介质膜；

(c)在电池背表面制备铝电极；

(d)将N型重掺杂浆料与金属电极浆料混合后同时印刷在电池前表面的局部区域并烘干；

(e)高温烧结。

10.根据权利要求8或9所述的铝背发射极N型太阳电池的制作方法，其特征在于，步骤(a)所述的表面织构化和化学清洗步骤是指用酸或碱在N型半导体衬底表面制作金字塔或凹坑状的陷光结构，并用化学清洗剂对其表面进行清洗；步骤(b)所述的介质膜覆盖N型半导体衬底的前表面或全表面；步骤(c)所述的铝电极是通过丝网印刷铝浆料、溅射铝金属膜或蒸镀铝金属膜的方法来制备；步骤(d)所述的N型重掺杂浆料的主要成分是掺磷、掺砷或掺锑的硅颗粒。