[发明专利]发光二极管的制作方法及发光二极管无效
| 申请号： | 200910211892.9 | 申请日： | 2009-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN102054906A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 唐慈淯 | 申请（专利权）人： | 亿光电子工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 中国台湾台北县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发光二极管及其制作方法，其制作方法包括：首先，提供一半导体结构，此半导体结构具有蓝宝石基材与半导体发光层。半导体发光层的第一面接触并覆盖于蓝宝石基材上。接着，将前述半导体结构固定于支撑物上。之后，将半导体结构中的蓝宝石基材去除。接着，将高导热薄膜形成于前述半导体发光层的第一面上。最后再将支撑物移除。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的制作方法，其特征在于，包含：提供一半导体结构，该半导体结构具有一蓝宝石基材与一半导体发光层，该半导体发光层的一第一面接触并覆盖于该蓝宝石基材上；固定该半导体结构于一支撑物上；去除该蓝宝石基材；形成一高导热薄膜于该半导体发光层的该第一面上；以及移除该支撑物。
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