[发明专利]发光二极管的制作方法及发光二极管

说明书

技术领域

本发明是有关于一种发光装置及其制作方法，且特别是有关于一种发光二极管及其制作方法。

背景技术

发光二极管由于具有省电、低驱动电压、寿命长以及具有环保效果等优点，使得其大量应用于照明设备与显示器中。上述的发光二极管若应用于照明设备，可使照明设备产生较传统灯泡更佳的亮度与发光效率；若应用于显示器中当成背光源，可缩小显示器的厚度，使显示器更为轻薄。

目前常见的发光二极管的主要架构至少包含一基材与位于基材上的半导体发光层。半导体发光层至少包含P型半导体层与N型半导体层。基材一般多为蓝宝石(sapphire)基材。由于蓝宝石基材的使用可使其上所形成的半导体层的晶形符合发光二极管使用上的需求，因此业界大多采用蓝宝石基材做为发光二极管中的基材。然后，由于蓝宝石为导热效果不佳的材料，因此当应用于大功率的发光二极管时，常使得发光二极管的散热不良并进一步影响到发光二极管整体效能。因此，如何改善发光二极管的散热为此技术领域的人员急需解决的问题之一。

发明内容

本发明的目的在于提供一种发光二极管及其制作方法，可以改善发光二极管的散热。

本发明实施例提出一种发光二极管的制作方法。

依照本发明一实施例所述，提出一种发光二极管的制作方法。首先，提供一半导体结构，此半导体结构具有蓝宝石基材与半导体发光层。半导体发光层的第一面接触并覆盖于蓝宝石基材上。接着，将前述半导体结构固定于支撑物上。之后，将半导体结构中的蓝宝石基材去除。接着，将高导热薄膜形成于前述半导体发光层的第一面上。最后再将支撑物移除。

依照本发明另一实施例所述，提出一种发光二极管的制作方法。首先，提供一半导体结构，此半导体结构具有蓝宝石基材与半导体发光层。半导体发光层的一面接触并覆盖于蓝宝石基材上。接着，将前述半导体结构固定于支撑物上。之后，再研磨前述蓝宝石基材，使其厚度介于0～50微米。接着，在研磨后的蓝宝石基材的表面上形成高导热薄膜。最后，将前述支撑物移除。

依照本发明再一实施例所述，提出一种发光二极管的制作方法。首先，提供一基材。之后，将钻石膜形成于基材上。最后，在钻石膜上形成半导体发光层，此半导体发光层包含N型半导体层舆P型半导体层，N型半导体层舆P型半导体层迭置于钻石膜上。

依照本发明又一实施例所述，提出一种发光二极管。此发光二极管包含钻石膜基材与半导体发光层。半导体发光层位于钻石膜上，此半导体发光层包含N型半导体层与P型半导体层，且N型半导体层或P型半导体层接触钻石膜基材。

依照本发明又一实施例所述，提出一种发光二极管。此发光二极管包含蓝宝石基材、半导体发光层与钻石膜。蓝宝石基材的厚度介于0～50微米之间。半导体发光层位于蓝宝石基材上，此半导体发光层包含N型半导体层与P型半导体层，且N型半导体层或P型半导体层接触钻石膜基材。钻石膜位于蓝宝石基材背对半导体发光层的表面上。

本发明上述实施例所述的发光二极管与其制作方法，通过改变蓝宝石厚度并搭配高导热薄膜的形成，可有效地提高发光二极管的散热效率。

附图说明

为让本发明的上述和其它目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附附图的详细说明如下：

图1A～1D是绘示依照本发明一实施例所述的发光二极管制作流程的剖面结构示意图；

图2是绘示依照本发明另一实施例所述的发光二极管的剖面构造示意图；

图3A～3C是绘示依照本发明另一实施例所述的发光二极管制作流程的剖面结构示意图。

【主要组件符号说明】

110：半导体结构              120：蓝宝石基材

130、330：半导体发光层       132、332：P型半导体层

134、334：N型半导体层        140：支撑物

150：高导热薄膜              160、260、360：发光二极管

320：基材                    350：钻石膜

具体实施方式

实施例一

图1A～1D是绘示依照本发明一实施例所述的发光二极管制作流程的剖面结构示意图。在图1A中，首先将半导体结构110固定于支撑物140上，固定的方式例如可采用粘合的方式，但并不限于此种固定方式。半导体结构110包含蓝宝石基材120与半导体发光层130，其中半导体发光层130的一面接触并覆盖于蓝宝石基材120上。