[发明专利]导电氧氮化物及导电氧氮化物膜的制造方法有效
| 申请号： | 200910211814.9 | 申请日： | 2009-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN101728000A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 坂田淳一郎;丸山哲纪;井本裕己;浅野裕治;肥塚纯一 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01B1/00 | 分类号： | H01B1/00;H01B1/06;H01B13/00;H01B5/14;H01L29/786;H01L29/24;C03C17/22;C04B41/85;C01B21/20 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 项丹 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及导电氧氮化物及导电氧氮化物膜的制造方法。提供了一种导电氧氮化物，包括：包含铟、镓和锌的氧氮化物；以及氢原子。由透明导电氧化物构成的电极因半导体装置的制造工序中的加热处理而容易晶化。使用其表面凹凸因晶化而变得明显的电极的薄膜元件容易发生短路，其结果是，元件的可靠性降低。本发明的一个方式的目的在于提供一种即使进行加热处理也不会晶化的透光导电氧氮化物及其制造方法。本发明人等发现掺杂了氢原子的包含铟、镓和锌的氧氮化物为即使进行350℃的加热处理也不会晶化的透光导电膜，据此解决了上述问题。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 氮化物 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种导电氧氮化物，包括：包含铟、镓和锌的氧氮化物；以及氢原子。
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