[发明专利]导电氧氮化物及导电氧氮化物膜的制造方法

权利要求书

1.一种导电氧氮化物，包括：

包含铟、镓和锌的氧氮化物；以及

氢原子，

其中，在所述氧氮化物中，相对于氧的氮的组成比率（N/O）在5 原子%至80原子%的范围。

2.根据权利要求1所述的导电氧氮化物，其中，所述氧氮化物是 透光的。

3.一种导电氧氮化物膜的制造方法，包括如下步骤：

淀积形成包含铟、镓和锌的氧氮化物膜；

将用作氢原子的供给源的化合物吸附到所述氧氮化物膜的表 面；以及

进行加热处理，以使氢原子扩散到所述氧氮化物膜，

其中，在所述氧氮化物中，相对于氧的氮的组成比率（N/O）在 5原子%至80原子%的范围。

4.一种导电氧氮化物膜的制造方法，包括如下步骤：

淀积形成包含铟、镓和锌的氧氮化物膜；以及

在包含用作氢原子的供给源的化合物的气氛中进行加热处理， 以使氢原子扩散到所述氧氮化物膜，

其中，在所述氧氮化物中，相对于氧的氮的组成比率（N/O）在 5原子%至80原子%的范围。

5.一种导电氧氮化物膜的制造方法，包括如下步骤：

在用作氢原子的供给源的膜上层叠包含铟、镓和锌的氧氮化物 膜；以及

进行加热处理，以使氢原子扩散到所述氧氮化物膜，

其中，在所述氧氮化物中，相对于氧的氮的组成比率（N/O）在 5原子%至80原子%的范围。

6.根据权利要求3至5中的任一项所述的导电氧氮化物膜的制造 方法，其中在包含氮气的气氛中溅射由包含铟、镓和锌的氧化物构成 的靶材，以淀积形成所述氧氮化物膜。

7.一种导电氧氮化物膜的制造方法，包括如下步骤：

在包含用作氢原子的供给源的化合物的气氛中，淀积形成包含 铟、镓和锌的氧氮化物膜；以及

进行加热处理，

其中，在所述氧氮化物中，相对于氧的氮的组成比率（N/O）在 5原子%至80原子%的范围。

8.根据权利要求7所述的导电氧氮化物膜的制造方法，其中溅射 由包含铟、镓和锌的氧化物构成的靶材，以淀积形成所述氧氮化物膜。

9.根据权利要求3至5和7中的任一项所述的导电氧氮化物膜的 制造方法，其中所述氧氮化物膜是透光的。

10.一种半导体装置，包括：

栅电极；

与所述栅电极相对的栅极绝缘膜；以及

中间夹着所述栅极绝缘膜与所述栅电极相对的半导体膜，

其中，所述半导体膜包括：

包含铟、镓和锌的氧氮化物；以及

氢原子，

其中，在所述氧氮化物中，相对于氧的氮的组成比率（N/O）在5 原子%至80原子%的范围。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述氧氮化物是透 光的。

12.根据权利要求10所述的半导体装置，还包括其上淀积了氧氮 化物的衬底，其中所述衬底选自：无碱玻璃衬底、陶瓷衬底、塑料衬 底、以及表面上设置有绝缘膜的金属衬底。

13.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

在衬底上淀积包含铟、镓和锌的氧氮化物膜；

将用作氢原子的供给源的化合物吸附到所述氧氮化物膜的表面； 以及

进行加热处理，以使氢原子扩散到所述氧氮化物膜，

其中，在所述氧氮化物中，相对于氧的氮的组成比率（N/O）在5 原子%至80原子%的范围。