[发明专利]制造半导体装置的方法有效
| 申请号： | 200910207339.8 | 申请日： | 2009-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN101728330A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 赖素贞;郑光茗;庄学理;沈俊良 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;邢雪红 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供制造半导体装置的方法。上述制造半导体装置的方法包括提供一半导体基底，其具有一第一区域和一第二区域，形成一高介电常数介电层于该半导体基底之上，形成一硅层该高介电常数介电层之上，形成一硬掩模层于该硅层之上，图案化该硬掩模层、该硅层、该高介电常数介电层以形成一第一栅极结构于该第一区域上和一第二栅极结构于该第二区域上，形成一接触蚀刻终止层于该第一和该第二栅极结构之上，修饰该接触蚀刻终止层的一轮廓，形成一层间介电层于修饰后的该接触蚀刻终止层之上，实施一化学机械研磨以分别地露出该第一和第二栅极结构的该硅层，以及分别地自该第一和第二栅极结构移除该硅层，并将其取代以金属栅极结构。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体装置的方法，包括：提供一半导体基底，其具有一第一区域和一第二区域；形成一高介电常数介电层于该半导体基底之上；形成一硅层该高介电常数介电层之上；形成一硬掩模层于该硅层之上；图案化该硬掩模层、该硅层、该高介电常数介电层以形成一第一栅极结构于该第一区域上和一第二栅极结构于该第二区域上；形成一接触蚀刻终止层于该第一和该第二栅极结构之上；修饰该接触蚀刻终止层的一轮廓；形成一层间介电层于修饰后的该接触蚀刻终止层之上；实施一化学机械研磨以分别地露出该第一和第二栅极结构的该硅层；以及分别地自该第一和第二栅极结构移除该硅层，并将其取代以金属栅极结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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