[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200910207026.2 | 申请日： | 2009-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN101728434A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 宫入秀和;长多刚;秋元健吾;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L27/02;H01L21/34 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件及其制造方法。随着显示器件具有较高的清晰度，像素、栅极线和信号线的数量都增加。当栅极线和信号线的数量增加时，存在难以通过结合等安装包括驱动栅极线和信号线的驱动电路的IC芯片，从而使制造成本增大的问题。将像素部分和驱动像素部分的驱动电路设置在相同衬底上，使驱动电路的至少一部分包括使用插在设置在氧化物半导体上方和下方的栅电极之间的氧化物半导体的薄膜晶体管。将像素部分和驱动电路设置在相同衬底上，从而可以降低制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包含：在绝缘表面上的第一栅电极；在所述第一栅电极上的第一绝缘层；在所述第一绝缘层上的源电极和漏电极；在所述源电极和所述漏电极上的氧化物半导体层；覆盖所述氧化物半导体层的第二绝缘层；和在所述第二绝缘层上的第二栅电极，其中，所述氧化物半导体层形成于所述第一绝缘层上，并与所述第一栅电极重叠，所述氧化物半导体层的至少一部分设置在所述源电极和所述漏电极之间，并且所述第二栅电极与所述氧化物半导体层和所述第一栅电极重叠。
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