[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包含：

像素部分和驱动电路，

其中，所述像素部分至少包括含有第一氧化物半导体层的第一薄 膜晶体管，

所述驱动电路至少包括含有第二氧化物半导体层的第二薄膜晶体 管和含有第三氧化物半导体层的第三薄膜晶体管，

所述第三薄膜晶体管包括在所述第三氧化物半导体层下方的第一 栅电极和在所述第三氧化物半导体层上方的第二栅电极，

所述第三氧化物半导体层的至少一部分设置在源电极和漏电极之 间，且所述第二栅电极与所述第三氧化物半导体层和所述第一栅电极 重叠，

所述第三氧化物半导体层形成于所述源电极和所述漏电极上，并 且

所述第二薄膜晶体管是耗尽型晶体管，且所述第三薄膜晶体管是 增强型晶体管。

2.按照权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一薄膜晶体 管与像素电极电连接，且所述像素电极由与所述第二栅电极相同的材 料形成。

3.按照权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一薄膜晶体 管与像素电极电连接，且所述像素电极由与所述第二栅电极不同的材 料形成。

4.按照权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一氧化物半 导体层、所述第二氧化物半导体层、和所述第三氧化物半导体层包含 从由铟、镓、和锌组成的组中选择的材料。

5.按照权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一栅电极和 所述第二栅电极具有相同的电位。

6.按照权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一栅电极和 所述第二栅电极具有不同的电位。

7.一种半导体器件，包含：

第一薄膜晶体管；和

第二薄膜晶体管，

其中，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管中的每一个均 包括源电极、漏电极、氧化物半导体层、第一栅电极，所述氧化物半 导体层与所述第一栅电极彼此重叠，

所述第二薄膜晶体管还包括第二栅电极，所述第一栅电极与所述 第二栅电极彼此重叠，所述氧化物半导体层置于所述第一栅电极和所 述第二栅电极之间，

所述氧化物半导体层形成于所述第二薄膜晶体管的所述源电极和 所述漏电极上，

所述第一薄膜晶体管的所述源电极和所述漏电极中的一个电连接 至所述第二薄膜晶体管的所述源电极和所述漏电极中的一个，

所述第一薄膜晶体管的所述第一栅电极电连接至所述第一薄膜晶 体管的所述源电极和漏电极中的所述一个，并且

所述第一薄膜晶体管是耗尽型晶体管，且所述第二薄膜晶体管是 增强型晶体管。

8.按照权利要求7所述的半导体器件，其中，所述氧化物半导体 层包含从由铟、镓、和锌组成的组中选择的材料。

9.按照权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第二薄膜晶体 管的所述第一栅电极和所述第二栅电极具有相同的电位。

10.按照权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第二薄膜晶 体管的所述第一栅电极和所述第二栅电极具有不同的电位。

11.一种半导体器件，包含：

第一薄膜晶体管；和

第二薄膜晶体管，

其中，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管中的每一个均 包括源电极、漏电极、形成于所述源电极和所述漏电极上的氧化物半 导体层、和第一栅电极，所述氧化物半导体层与所述第一栅电极彼此 重叠，

所述第二薄膜晶体管还包括第二栅电极，

所述第二薄膜晶体管的所述氧化物半导体层置于所述第二薄膜晶 体管的所述第一栅电极与所述第二栅电极之间，

所述第一薄膜晶体管的所述源电极和所述漏电极中的一个电连接 至所述第二薄膜晶体管的所述源电极和所述漏电极中的一个，

所述第一薄膜晶体管的所述第一栅电极电连接至所述第一薄膜晶 体管的所述源电极和漏电极中的所述一个。