[发明专利]生长半导体纳米线的方法无效
| 申请号： | 200910205893.2 | 申请日： | 2001-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN101798057A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 查尔斯·M·利伯;崔屹;段镶锋;黄昱 | 申请（专利权）人： | 哈佛学院董事会 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;B82B1/00;H01L21/335;H01L21/77;H01L21/329;H01L29/861;H01L33/00;H01L29/88;H01L29/872;H01L21/331;H01L29/73;H01L21/8239;H01L27/105 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;王春伟 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请涉及生长半导体纳米线的方法，所述方法通过催化剂胶体颗粒催化生长半导体纳米线，每个所述半导体纳米线均具有最小宽度小于500纳米的至少一个部分，选择催化剂胶体颗粒以具有小于约20％的直径变化，使得根据该方法制造的一组半导体纳米线的直径变化小于20％。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 半导体 纳米 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，所述方法包括：由直径变化小于约20％的催化剂胶体颗粒催化生长一组半导体纳米线，每个所述半导体纳米线均具有最小宽度小于500纳米的至少一个部分，选择所述催化剂胶体颗粒以使得根据该方法制造的一组半导体纳米线的直径变化小于20％。
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