[发明专利]生长半导体纳米线的方法

权利要求书

1.一种方法，所述方法包括：

由直径变化小于约20％的催化剂胶体颗粒催化生长一组半导体纳米线，每个所述半导体纳米线均具有最小宽度小于500纳米的至少一个部分，选择所述催化剂胶体颗粒以使得根据该方法制造的一组半导体纳米线的直径变化小于20％。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述催化剂胶体颗粒通过激光烧蚀固体靶以产生所述催化剂胶体颗粒的方法制得。

3.如权利要求1所述的方法，还包括：控制所述一组半导体纳米线的长度。

4.如权利要求1所述的方法，其中，所述半导体纳米线的至少一部分具有最小宽度小于20纳米的至少一个部分。

5.如权利要求1所述的方法，其中，所述半导体纳米线的至少一部分具有最小宽度小于10纳米的至少一个部分。

6.如权利要求1所述的方法，其中，所述半导体纳米线的至少一部分具有最小宽度小于5纳米的至少一个部分。

7.如权利要求1所述的方法，其中，所述催化剂胶体颗粒通过稀释进行尺寸选择。

8.一种方法，所述方法包括：

生长一组半导体纳米线，并在生长所述半导体纳米线时掺杂所述一组半导体纳米线，以制造一组掺杂的半导体纳米线，每个所述半导体纳米线均具有最小宽度小于500纳米的至少一个部分，

其中，所述生长步骤包括：由催化剂胶体颗粒催化生长所述一组半导体纳米线，选择所述催化剂胶体颗粒使得根据该方法制造的所述一组半导体纳米线的直径变化小于20％。

9.如权利要求8所述的方法，还包括：将一种或更多种其它材料加到至少一些所述掺杂的半导体纳米线的表面。

10.如权利要求9所述的方法，包括：加入所述一种或更多种其它材料，以形成围绕至少一些所述掺杂的半导体纳米线的壳。

11.一种方法，所述方法包括：

利用激光辅助的催化生长由催化剂胶体颗粒催化生长一组半导体纳米线，每个所述半导体纳米线均具有最小宽度小于500纳米的至少一个部分，选择所述催化剂胶体颗粒使得根据该方法制造的所述一组半导体纳米线的直径变化小于20％。

12.一种方法，所述方法包括：

由催化剂胶体颗粒催化生长一组半导体纳米线，每个所述半导体纳米线均具有最小宽度小于500纳米的至少一个部分，选择所述催化剂胶体颗粒使得根据该方法制造的所述一组半导体纳米线的直径变化小于20％；

使包含所述一个或更多个半导体纳米线的溶液与表面接触，以在所述表面上沉积所述一个或更多个半导体纳米线；和

使用电场排列所述一个或更多个半导体纳米线，以使所述一个或更多个半导体纳米线在所述表面上对齐。

13.如权利要求12所述的方法，其中，所述表面是衬底的表面。

14.如权利要求12所述的方法，其中，所述对齐包括：在至少两个电极之间产生电场，和将所述一个或更多个半导体纳米线置于所述电极之间。

15.如权利要求12所述的方法，还包括使用流体流动排列所述一个或更多个半导体纳米线。

16.如权利要求15所述的方法，其中，所述使用流体流动排列所述一个或更多个半导体纳米线包括：使包含所述一个或更多个半导体纳米线的流体流动到所述表面上。

17.如权利要求12所述的方法，其中，所述催化剂胶体颗粒通过激光烧蚀固体靶以产生所述催化剂胶体颗粒的方法制得。

18.一种方法，所述方法包括：

由催化剂胶体颗粒催化生长一组半导体纳米线，每个所述半导体纳米线均具有最小宽度小于500纳米的至少一个部分，选择所述催化剂胶体颗粒使得根据该方法制造的所述一组半导体纳米线的直径变化小于20％；

使包含所述一个或更多个半导体纳米线的溶液与表面接触，以在所述表面上沉积所述一个或更多个半导体纳米线；和

使用机械工具排列所述一个或更多个半导体纳米线，以使所述一个或更多个半导体纳米线在所述表面上对齐。

19.如权利要求18所述的方法，其中，所述催化剂胶体颗粒通过激光烧蚀固体靶以产生所述催化剂胶体颗粒的方法制得。