[发明专利]光电转换装置及光电转换装置的制造方法有效
| 申请号: | 200910203857.2 | 申请日: | 2009-05-20 |
| 公开(公告)号: | CN101593778A | 公开(公告)日: | 2009-12-02 |
| 发明(设计)人: | 山崎舜平 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04;H01L31/042;H01L31/0376;H01L31/0352;H01L31/20 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 屠长存 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 本发明的目的之一在于谋求同时实现光电转换装置的高效化和生产性的提高。一种光电转换装置,包括具有半导体结的单元,该单元包括:一种导电型的第一杂质半导体层;与一种导电型相反的导电型的第二杂质半导体层;以及在非晶结构中包括贯穿第一杂质半导体层和第二杂质半导体层之间的结晶区的半导体层。将稀释气体的流量比设定为半导体材料气体的1倍以上且低于10倍,优选设定为1倍以上且6倍以下而引入到反应空间生成等离子体来形成包括结晶区的半导体层。 | ||
| 搜索关键词: | 光电 转换 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种光电转换装置,包括:衬底上的包括第一杂质元素的第一半导体层;所述第一半导体层上的包括非晶层和结晶的第二半导体层;以及所述第二半导体层上的包括第二杂质元素的第三半导体层,其中,所述结晶贯穿所述第一半导体层和所述第三半导体层之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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