[发明专利]光电转换装置及光电转换装置的制造方法

权利要求书

1.一种光电装换装置，包括：

衬底上的包括第一杂质元素的第一半导体层；

所述第一半导体层上的包括第一非晶层和多个第一结晶的第二 半导体层；

所述第二半导体层上的包括第二杂质元素的第三半导体层；

所述第三半导体层上的包括第三杂质元素的第四半导体层；

所述第四半导体层上的包括第二非晶层和多个第二结晶的第五 半导体层；以及

所述第五半导体层上的包括第四杂质元素的第六半导体层，

其中，所有所述多个第一结晶贯穿所述第一半导体层和所述第三 半导体层之间，并且与所述第一半导体层和所述第三半导体层接触，

其中，所有所述多个第二结晶贯穿所述第四半导体层和所述第六 半导体层之间，并且与所述第四半导体层和所述第六半导体层接触，

其中所述多个第一结晶的体积在所述第二半导体层的体积中所 占的比例小于所述多个第二结晶的体积在所述第五半导体层的体积 中所占的比例，以及

其中光从所述第一半导体层侧进入。

2.根据权利要求1所述的光电转换装置，还包括：

第一电极和第二电极，

其中所述第一半导体层、所述第二半导体层、所述第三半导体层、 所述第四半导体层、所述第五半导体层、以及所述第六半导体层设置 在所述第一电极和所述第二电极之间。

3.根据权利要求1所述的光电转换装置，还包括：

设置在所述衬底和所述第一半导体层之间的单晶半导体层。

4.根据权利要求1所述的光电转换装置，

其中所述多个第一结晶和所述多个第二结晶都具有针状、圆锥形 状、圆柱形状、多角锥形状、或多角柱形状。

5.根据权利要求1所述的光电转换装置，

其中所述第一半导体层、所述第三半导体层、所述第四半导体层、 以及所述第六半导体层都是微晶半导体层。

6.根据权利要求1所述的光电转换装置，

其中所述第一半导体层和所述第三半导体层中之一方以及所述 第四半导体层和所述第六半导体层中之一方是n型半导体层，所述第 一半导体层和所述第三半导体层中之另一方以及所述第四半导体层 和所述第六半导体层中之另一方是p型半导体层，且所述第二半导体 层和所述第五半导体层是i型半导体层。

7.根据权利要求1所述的光电转换装置，

其中所述第二半导体层吸收的光的波长比所述第五半导体层吸 收的光的波长短。

8.根据权利要求1所述的光电转换装置，

其中所述第二半导体层的厚度薄于所述第五半导体层的厚度。

9.一种光电转换装置的制造方法，包括如下步骤：

在衬底上形成包括第一杂质元素的第一半导体层；

在所述第一半导体层上形成包括第一非晶层和多个第一结晶的 第二半导体层；

在所述第二半导体层上形成包括第二杂质元素的第三半导体层；

在所述第三半导体层上形成包括第三杂质元素的第四半导体层；

在所述第四半导体层上形成包括第二非晶层和多个第二晶体的 第五半导体层；

在所述第五半导体层上形成包括第四杂质元素的第六半导体层；

其中，所有所述多个第一结晶形成为贯穿所述第一半导体层和所 述第三半导体层之间，并且与所述第一半导体层和第三半导体层接 触；

其中，所有所述多个第二结晶形成为贯穿所述第四半导体层和所 述第六半导体层之间，并且与所述第四半导体层和所述第六半导体层 接触，

其中所述多个第一结晶的体积在所述第二半导体层的体积中所 占的比例小于所述多个第二结晶的体积在所述第五半导体层的体积 中所占的比例，以及

其中所述第二半导体层吸收的光的波长比所述第五半导体层吸 收的光的波长短。