[发明专利]一种制备ZnO纳米线阵列的方法有效
| 申请号： | 200910203556.X | 申请日： | 2009-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN101608305A | 公开（公告）日： | 2009-12-23 |
| 发明（设计）人： | 李建功;田强;王谦;黄娟娟;张旭东;王花枝 | 申请（专利权）人： | 兰州大学 |
| 主分类号： | C23C22/05 | 分类号： | C23C22/05;C23C14/24;C23C14/34;C23C14/35;C23C14/14;C23C28/00;C03C17/36 |
| 代理公司： | 兰州振华专利代理有限责任公司 | 代理人： | 张 晋 |
| 地址： | 730000甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明涉及ZnO纳米材料的制备技术领域中的针状和六角柱状ZnO纳米线阵列的可控制备方法。本发明制备ZnO薄膜的方法是首先在衬底材料上制备出银或铜的薄膜，然后将衬底浸入到总体积为50ml的5～120mM的硝酸锌水溶液与10～30mM的二甲基胺硼烷水溶液中，保持溶液温度为60～90℃，充分反应后可在衬底上得到氧化锌薄膜。本发明的制备方法在衬底上形成铜或银的薄膜可以用磁控溅射的方法，或者真空蒸镀的方法，或者真空溅射的方法实现，也可以在铜的衬底表面进行抛光处理获得可生长氧化锌纳粹阵列的表面。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 zno 纳米 阵列 方法 | ||
【主权项】：
1、制备ZnO薄膜的方法，其特征是将铜的衬底表面进行抛光处理，然后将衬底浸入到总体积为50ml的5～120mM的硝酸锌水溶液与10～30mM的二甲基胺硼烷水溶液中，保持溶液温度为60～90℃，充分反应后可在衬底上得到氧化锌薄膜。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C22-00 表面与反应液反应、覆层中留存表面材料反应产物的金属材料表面化学处理，例如转化层、金属的钝化
C23C22-02 .使用非水溶液的
C23C22-05 .使用水溶液的
C23C22-70 .使用熔体
C23C22-73 .以工艺为特征的
C23C22-78 .待镀覆材料的预处理
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