[发明专利]一种制备ZnO纳米线阵列的方法有效
| 申请号: | 200910203556.X | 申请日: | 2009-05-20 |
| 公开(公告)号: | CN101608305A | 公开(公告)日: | 2009-12-23 |
| 发明(设计)人: | 李建功;田强;王谦;黄娟娟;张旭东;王花枝 | 申请(专利权)人: | 兰州大学 |
| 主分类号: | C23C22/05 | 分类号: | C23C22/05;C23C14/24;C23C14/34;C23C14/35;C23C14/14;C23C28/00;C03C17/36 |
| 代理公司: | 兰州振华专利代理有限责任公司 | 代理人: | 张 晋 |
| 地址: | 730000甘*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 制备 zno 纳米 阵列 方法 | ||
1.制备ZnO薄膜的方法,其特征是首先在衬底材料上制备出银的子层,然 后将衬底浸入到总体积为50mL的5~120mM的硝酸锌水溶液与10~30mM的 二甲基胺硼烷水溶液中,保持溶液温度为60~90℃,充分反应后可在衬底上得 到氧化锌薄膜。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征是真空蒸镀的方法,或者真空溅射 的方法在衬底上形成银的子层。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征是采用化学法在玻璃衬底表面形成 银的子层。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征是所用的化学法在衬底表面形成银 的子层的方法为:
a.把玻璃衬底分别在蒸馏水、酒精、丙酮溶液中超声清洗,除去表面的杂质、 油渍;
b.把清洗好的衬底在常温下浸入到5-10g/L的SnCl2和0.08M的盐酸混合敏 化溶液中,浸泡0.5至5分钟;
c.取出后,浸入到蒸馏水中2至20秒;
d.然后取出,再把玻璃衬底浸入到1-10g/L的常温AgNO3处理水溶液中, 浸泡1至6分钟;
e.重复步骤b-d数次,直至玻璃衬底材料由光亮透明变为茶色。
5.根据权利要求1至4所述的任一方法,其特征是将带有银的衬底材料浸 入到50mL的5~10mM的硝酸锌水溶液与10~30mM的二甲基胺硼烷水溶液 中处理,得到针状ZnO纳米线阵列。
6.根据权利要求1至4所述的任一方法,其特征是带有银的衬底材料浸入 到50mL的20~70mM的硝酸锌水溶液与10~30mM的二甲基胺硼烷水溶液 中处理,得到截面为六角形的柱状ZnO纳米线阵列。
7.根据权利要求1至4所述的任一方法,其特征是将带有银的衬底材料浸 入到50mL的80~120mM的硝酸锌水溶液与10~30mM的二甲基胺硼烷水溶 液中处理,得到片状或者多晶结构的ZnO薄膜。
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