[发明专利]用于微波辅助的薄膜磁头以及微波-辅助磁记录方法无效

专利信息
申请号: 200910203244.9 申请日: 2009-05-31
公开(公告)号: CN101609687A 公开(公告)日: 2009-12-23
发明(设计)人: 岛沢幸司;长勤;土屋芳弘 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: G11B5/31 分类号: G11B5/31;H01F10/08;G11B5/48;G11B5/02
代理公司: 北京北翔知识产权代理有限公司 代理人: 郑建晖;杨 勇
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种薄膜磁头,其能够在即使存在频繁反向的方向的极强的写场的情况下,仍能稳定产生带有预期频率的电磁场。所述磁头包括在第一和第二磁极之间的电磁场发生元件。所述电磁场发生元件包括自旋波激励层,用以通过激励自旋波产生高频电磁场,其中该自旋波激励层相邻于所述第一磁极并且具有根据外部磁场而改变其方向的磁化。所述自旋波激励层的磁化通过从所述第一磁极中产生的磁场的一部分而被沿着基本垂直于其层表面的方向偏置,并且自旋波激励电流沿着从第二磁极到第一磁极的方向在电磁场发生元件中流动。
搜索关键词: 用于 微波 辅助 薄膜 磁头 以及 记录 方法
【主权项】:
1.一种薄膜磁头,包括:第一磁极和第二磁极,所述第一磁极用于产生向磁记录介质写入的写场;以及电磁场发生元件,其被提供在所述第一磁极和第二磁极之间的达到相对于介质的表面的一位置中,所述电磁场发生元件包括:自旋波激励层,其被提供在相邻于所述第一磁极并且具有根据外部磁场而改变其方向的磁化,用于通过激励自旋波来产生高频电磁场;以及非磁性中间层,其被提供在相关于所述自旋波激励层的相对于所述第一磁极的侧面上,以及所述自旋波激励层的磁化通过从所述第一磁极中产生的磁场的一部分而被沿着基本垂直于其层表面的方向偏置,并且用于激励自旋波的电流在所述电磁场发生元件中沿着从所述第二磁极到所述第一磁极的方向流动。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TDK株式会社,未经TDK株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910203244.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top