[发明专利]用于微波辅助的薄膜磁头以及微波-辅助磁记录方法

权利要求书

1.一种薄膜磁头，包括：

第一磁极和第二磁极，所述第一磁极用于产生向磁记录介质写入的写场；以及

电磁场发生元件，其被提供在所述第一磁极和第二磁极之间的达到相对于介质的表面的一位置中，

所述电磁场发生元件包括：自旋波激励层，其被提供在相邻于所述第一磁极并且具有根据外部磁场而改变其方向的磁化，用于通过激励自旋波来产生高频电磁场；以及非磁性中间层，其被提供在相关于所述自旋波激励层的相对于所述第一磁极的侧面上，以及

所述自旋波激励层的磁化通过从所述第一磁极中产生的磁场的一部分而被沿着基本垂直于其层表面的方向偏置，并且用于激励自旋波的电流在所述电磁场发生元件中沿着从所述第二磁极到所述第一磁极的方向流动。

2.根据权利要求1所述的薄膜磁头，其中所述自旋波激励层具有1×10⁴erg/cm³或更小的磁各向异性能量。

3.根据权利要求1所述的薄膜磁头，其中所述自旋波激励层具有垂直于其层表面的易磁化轴。

4.根据权利要求1所述的薄膜磁头，其中：所述自旋波激励层进一步包括具有根据外部磁场而改变其方向的磁化的磁化自由层；所述非磁性中间层被提供在夹在所述磁化自由层和所述自旋波激励层之间的一位置中；并且所述磁化自由层的磁化通过从所述第一磁极中产生的磁场的一部分而被沿着基本垂直于其层表面的方向偏置。

5.根据权利要求4所述的薄膜磁头，其中所述磁化自由层具有1×10⁴erg/cm³或更小的磁各向异性能量。

6.根据权利要求4所述的薄膜磁头，其中所述磁化自由层具有垂直于其层表面的易磁化轴。

7.根据权利要求1所述的薄膜磁头，其中所述第二磁极包括一突出部分，所述突出部分被提供在所述第二磁极的相对于介质的表面侧面上的末端部分上，所述第二磁极相对于所述第一磁极，并且所述突出部分突出朝向所述第一磁极，并且所述电磁场发生元件被提供在所述突出部分和所述第一磁极之间。

8.根据权利要求1所述的薄膜磁头，其中所述第一磁极包括一突出部分，所述突出部分被提供在所述第一磁极的相对于介质的表面侧面上的末端部分上，所述第一磁极相对于所述第二磁极，并且所述突出部分突出朝向所述第二磁极，并且所述电磁场发生元件被提供在所述突出部分和所述第二磁极之间。

9.根据权利要求1所述的薄膜磁头，其中所述第一磁极的一部分或者所述第二磁极的一部分由电绝缘层形成，并且在所述第一磁极的相对于介质的表面侧面上的末端部分和在所述第二磁极的相对于介质的表面侧面上的末端部分，用作向所述电磁场发生元件施加电流以激励自旋波的电极。

10.根据权利要求1所述的薄膜磁头，其中所述电磁场发生元件的相对于介质的表面侧面上的末端的沿磁轨宽度方向上的宽度，小于所述第一磁极的相对于介质的表面侧面上的末端的沿磁轨宽度方向上的宽度。

11.根据权利要求1所述的薄膜磁头，其中从所述自旋波激励层中所产生的高频电磁场的频率，基本相等于将被写入的磁记录介质的磁记录层的磁共振频率。

12.一种磁头万向架组件，包括：如权利要求1～11中任一权利要求所述的薄膜磁头，以及用于支撑所述薄膜磁头的支撑结构。

13.一种磁记录装置，包括：至少一个如权利要求12所述的磁头万向架组件；至少一个磁记录介质；以及一个记录电路，其用于控制所述薄膜磁头向所述至少一个磁记录介质进行写操作，并包括用于控制激励自旋波的电流的自旋波控制电路。