[发明专利]MTP器件的单元结构及其操作方法

摘要

本发明公开了一种MTP器件的单元结构及其操作方法，其单元结构包括主存储单元、参考存储单元和差分比较电路。其中，当主存储单元为已编程状态，则参考存储单元为已擦除状态。当主存储单元为已擦除状态，则参考存储单元为已编程状态。差分比较电路对主存储单元的漏端、参考存储单元的漏端电流大小进行比较。从而可以在多次编程和擦除后仍能判断出主存储单元的状态，这也就相当于提升了整个MTP器件的单元结构的耐久力。

主权项

一种MTP器件的单元结构，其特征是，包括主存储单元、参考存储单元和差分比较电路；主存储单元包括选择晶体管、编程晶体管和擦除晶体管；选择晶体管的源极与选择晶体管所在n阱、编程晶体管所在n阱三者相连接；选择晶体管的栅极作为选择端；选择晶体管的漏极与编程晶体管的源极相连接；编程晶体管的栅极和擦除晶体管的栅极为同一个浮栅；选择晶体管的源极作为编程端，编程晶体管的漏极作为漏端；或者，选择晶体管的源极作为编程端，编程晶体管的漏极作为漏端；擦除晶体管的源极和漏极相连接作为擦除端；参考存储单元的结构与主存储单元相同；主存储单元的编程端和参考存储单元的编程端相连接；主存储单元的选择端和参考存储单元的选择端相连接；主存储单元的擦除端和参考存储单元的擦除端相连接；差分比较电路的两个输入端为主存储单元的漏端和参考存储单元的漏端，仅有一个输出端；当主存储单元的漏端电流大小≤参考存储单元的漏端电流大小时，差分比较电路的输出端输出“0”；当主存储单元的漏端电流大小＞参考存储单元的漏端电流大小时，差分比较电路的输出端输出“1”。