[发明专利]MTP器件的单元结构及其操作方法

权利要求书

1.一种MTP器件的单元结构，其特征是，包括主存储单元、参考存储单元和差分比较电路；

主存储单元包括选择晶体管、编程晶体管和擦除晶体管；选择晶体管的源极与选择晶体管所在n阱、编程晶体管所在n阱三者相连接；选择晶体管的栅极作为选择端；选择晶体管的漏极与编程晶体管的源极相连接；编程晶体管的栅极和擦除晶体管的栅极为同一个浮栅；选择晶体管的源极作为编程端，编程晶体管的漏极作为漏端；或者，选择晶体管的源极作为编程端，编程晶体管的漏极作为漏端；擦除晶体管的源极和漏极相连接作为擦除端；

参考存储单元的结构与主存储单元相同；

主存储单元的编程端和参考存储单元的编程端相连接；

主存储单元的选择端和参考存储单元的选择端相连接；

主存储单元的擦除端和参考存储单元的擦除端相连接；

差分比较电路的两个输入端为主存储单元的漏端和参考存储单元的漏端，仅有一个输出端；当主存储单元的漏端电流大小≤参考存储单元的漏端电流大小时，差分比较电路的输出端输出“0”；当主存储单元的漏端电流大小＞参考存储单元的漏端电流大小时，差分比较电路的输出端输出“1”。

2.如权利要求1所述的MTP器件的单元结构的操作方法，其特征是，

编程时，在编程端和参考存储单元的漏端加脉冲电压+6～+9V，主存储单元的漏端接地，选择端接地，擦除端接地；

擦除时，先在擦除端加脉冲电压+10～+17V，编程端接地，主存储单元的漏端和参考存储单元的漏端均接地或浮接，选择端接地或加正电位；然后在在编程端和主存储单元的漏端加脉冲电压+6～+9V，参考存储单元的漏端接地，选择端接地，擦除端接地；

读取时，在编程端加直流电压+1～+3.5V，主存储单元的漏端和参考存储单元的漏端所加直流电压均比编程端WL所加直流电压低0.5～3V且大于或等于0V，选择端接地，擦除端接地、或者与主存储单元的漏端同电位、或者与参考存储单元的漏端同电位、或者与编程端同电位。