[发明专利]功率MOS晶体管内集成肖特基二极管的器件及制造方法有效
| 申请号： | 200910201907.3 | 申请日： | 2009-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN102088020A | 公开（公告）日： | 2011-06-08 |
| 发明（设计）人： | 邵向荣;魏炜 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L21/8249 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种功率MOS晶体管内集成肖特基二极管的器件，通过在正常栅极沟道间增加肖特基沟道，在肖特基沟道间形成肖特基二极管。此外，本发明还公开了该器件的制造方法，包括如下步骤：(1)在硅衬底上进行栅极沟道和肖特基沟道刻蚀，形成栅极沟道之间嵌入肖特基沟道；(2)有光阻阻挡肖特基沟道区域的body注入与源注入；(3)层间电介质淀积，接触孔曝光、刻蚀，接触孔注入形成欧姆接触；(4)肖特基接触沟槽曝光、刻蚀；(5)金属沉积，在肖特基接触沟槽底部、金属与外延层接触形成肖特基二极管；(6)后续工艺包括常规的金属曝光、刻蚀、合金工艺。本发明在不增加芯片面积的前提下提高了器件的交频特性。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 mos 晶体管 集成 肖特基 二极管 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种功率MOS晶体管内集成肖特基二极管的器件，其特征在于：通过在正常栅极沟道间增加肖特基沟道，在肖特基沟道间形成肖特基二极管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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