[发明专利]PMOS OTP器件的建模方法

摘要

本发明公开了一种PMOS OTP器件的建模方法，根据PMOS OTP器件的结构和工作原理建立一套等效电路，等效电路结构主要包括一PMOS选择管、一PMOS浮栅管，选择管和浮栅管形成串联结构，二者的体电位相同，浮栅管漏端和体电位间接入一寄生二极管，浮栅管的栅接一电压控制电压源用以模拟浮栅管的栅耦合电压，所述电压控制电压源的电压和选择管的栅源电压差成正比且比例系数固定；再根据所述等效电路建立对应的SPICE宏模型。本发明能良好的描述PMOS OTP器件的电特性同时又具有物理意义。

主权项

一种PMOS OTP器件的建模方法，所述PMOS OPT器件包含一个PMOS选择管和一个PMOS浮栅管，所述PMOS选择管和PMOS浮栅管串联起来并且制作在同一个N型阱中，以所述PMOS浮栅管作为存储单元，所述PMOS选择管的漏端和所述PMOS浮栅管的源端共用一个有源区，所述N型阱接一体端；工作时所述PMOS浮栅管的栅不接任何电位，通过所述PMOS浮栅管的源栅间的交叠电容而将加在源漏间的电压耦合到所述PMOS浮栅的栅中，从而控制所述PMOS浮栅管沟道电流；其特征在于，包括步骤：步骤一、根据所述PMOS OTP器件的结构和工作原理建立一套等效电路，等效电路结构包括：一个PMOS选择管、一个PMOS浮栅管，所述PMOS选择管和PMOS浮栅管形成一个PMOS选择管的漏端和PMOS浮栅管的源端连接的串联结构；所述PMOS选择管和PMOS浮栅管的体电位串联，所述PMOS选择管的源端接源电压、栅接栅压；所述PMOS浮栅管的漏端接漏电压、并在漏端和所述体电位间接入一寄生二极管，所述PMOS浮栅管的栅接一电压控制电压源，以所述电压控制电压源模拟所述PMOS浮栅管的栅耦合电压，所述电压控制电压源的电压和所述PMOS选择管的栅源电压差成正比且比例系数固定；步骤二、根据所述等效电路建立对应的SPICE宏模型，通过仿真和实际数据的拟合确定所述电压控制电压源的电压和所述PMOS选择管的栅源电压差成正比的比例系数，以及所述PMOS选择管、PMOS浮栅管、寄生二极管的模型参数。