[发明专利]用于线路修复的连线方法有效
| 申请号： | 200910201844.1 | 申请日： | 2009-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN102074496A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 赖华平 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 孙大为 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于线路修复的连线方法；包括以下步骤：步骤一、在需要修复的指定金属线位置的绝缘膜上方开小窗口；步骤二、取刻蚀窗的一侧宽边固定，将长边拉长，宽边大小不变，进行深度0.1-0.5微米的刻蚀，如果刻蚀窗确定位置有金属线露出，有则停止刻蚀，无则再次固定之前的宽边，长度继续拉长后再进行深度0.1-0.5微米的刻蚀；如此循环，直到金属线外露；步骤三、从外露金属线位置沿阶梯镀上一条长度等于连线距离的铂金，实现连线。本发明提高了线路修复的速度和成功率，也省去了一些价格昂贵的耗材的使用，极大加快了芯片问题调试的进度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 线路 修复 连线 方法 | ||
【主权项】：
一种用于线路修复的连线方法；其特征在于，包括以下步骤：步骤一、在需要修复的指定金属线位置的绝缘膜上方开小窗口；步骤二、取刻蚀窗的一侧宽边固定，将长边拉长，宽边大小不变，进行深度0.1‑0.5微米的刻蚀，如果刻蚀窗确定位置有金属线露出，有则停止刻蚀；无则再次固定之前的宽边，长度继续拉长后再进行深度0.1‑0.5微米的刻蚀；如此循环，直到金属线外露；步骤三、从外露金属线位置沿阶梯镀上一条长度等于连线距离的铂金，实现连线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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